中國半導體掙脫美國管制封印？傳華為逆襲加速EDA自研

商傳媒｜記者責任編輯／綜合外電報導

美中科技戰暗潮洶湧，美國總統川普展開第二任期後，持續加大管制對中國出口EDA（電子設計自動化）工具的禁令，華為在半導體層層封鎖下，持續尋求技術自主突破。根據《DigiTimes》報導分析，華為已成功與多家中國EDA新創公司合作，完成14奈米以下EDA（電子自動化軟體工具）自研，實現設計流程自主可控，同時應用在麒麟9020晶片的開發上，並搭載於去年發表的Mate 70旗艦手機。

專家認為，這項技術「突破」象徵中國半導體供應鏈已成功擺脫對海外EDA廠商的依賴，特別是在GAAFET（環繞閘極場效電晶體）結構日漸普及、技術進入2奈米世代後，設計流程的複雜度暴增，若無先進EDA軟體支援，將無法驗證晶體管幾何、功耗與時脈等核心指標。

知名爆料者@Jukanlosreve（X帳號）指出，華為自2023年3月起，已逐漸掌控14奈米EDA工具的開發節奏，下一步將針對7奈米以下進一步優化設計工具，並可能授轉給中國其他廠商使用，預期這些工具也將支援Pura 80新旗艦系列晶片設計。

科技媒體《Wccftech》報導指出，目前華為麒麟9020是由合作夥伴中芯國際（SMIC）採用DUV（深紫外光）技術，以7奈米製程量產；也由於中國尚未取得荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）最先進的EUV（極紫外光）機台，導致中國在5奈米以下的製程尚無法實現高良率商轉。

據悉，中國半導體設備商新凱來（SiCarrier）正與華為共同研發「國產EUV替代方案」，同時已啟動28億美元資金募資計畫；但預計在數年後，此方案要比肩ASML等級的產能與穩定度仍具高度挑戰。

報導進一步指出，儘管華為已取得在EDA領域的階段性成果，但若小米無法取得針對GAAFET結構進行時序與功耗驗證的EDA套件，未來恐怕無法與高通、聯發科、蘋果等廠商，在高階智慧型手機市場一較高下。