HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構
在日前登場的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技術與電路研討會上，來自南韓與日本的研究團隊不約而同發表了兩套全新的高頻寬記憶體（HBM）架構構想，雖出自不同單位、命名各異，核心思路卻高度雷同，將原本平躺堆疊的 DRAM 晶片改為「直立擺放」，藉此換取更充裕的散熱空間，同時緩解 AI 晶片日益吃緊的記憶體頻寬瓶頸。
由南韓蔚山國家科學技術研究院（UNIST）領軍提出的「V-Die」架構，將訂製 DRAM 晶片旋轉 90 度、以直立方式排列，透過矽穿孔（TSV）技術釋放出原本被占用的晶片面積，藉此容納更多記憶體單元。
每顆晶片底部各自配置獨立的輸入輸出（I/O）通道，晶片與晶片之間則預留了液冷散熱通道，以因應堆疊密度提升後的散熱壓力。
根據團隊公布的模擬測試數據，在相同容量條件下，V-Die 架構於執行 GPT-3 等級的 AI 負載時，可達到每秒 540 個 token 的處理速度，相較傳統 HBM4 的每秒 296 個 token，效能幾乎翻倍。
另一套由東京大學團隊主導的「MOSAIC」架構，同樣採取直立堆疊思路，但技術重點有所不同。
該方案採用正交式晶片堆疊，並搭配「無接觸式」晶片間介面設計，資料傳輸不再仰賴實體接點，而是透過微型電感線圈進行耦合傳輸，單通道傳輸速率可達 4 Gbps。
研究團隊指出，此架構若應用於 DRAM-on-GPU 的配置下，容量表現可達現行 HBM4 的兩倍。
儘管技術路線各有側重，V-Die 與 MOSAIC 所要解決的問題本質上一致：現行 AI 加速器的運算能力雖持續提升，但大型語言模型在運作過程中需頻繁於記憶體與運算單元間搬運龐大資料量，記憶體頻寬與延遲已成為制約整體效能的關鍵瓶頸。
HBM 技術原本便是透過將 DRAM 垂直堆疊、貼近處理器封裝來緩解此一矛盾，例如輝達 (NVDA-US) Blackwell Ultra B300 即配置了 288GB 的 HBM3E 記憶體。
然而，堆疊層數愈高，散熱難度也隨之攀升。V-Die 與 MOSAIC 本質上都是以「側向擺放」的空間配置，換取更充裕的散熱餘裕，並在此基礎上同步拉高了頻寬與容量表現。
值得留意的是，上述兩項技術目前仍停留在學術論文與模擬驗證階段，距離實際量產仍有相當距離，短期內尚無法落地商用化生產。
業界人士指出，尖端記憶體創新技術的實用化通常仍需歷經數年的製程驗證與良率爬坡，短期內記憶體產業的實質突破，仍將更多仰賴既有成熟製程的規模化落地與產能擴張。
中國儲存巨頭長鑫科技敲定申購時程 將登陸科創板
與此同時，中國 DRAM 記憶體產業也傳出資本市場最新進展。根據上海證券交易所披露的完整發行公告，長鑫科技已正式敲定申購時間表，網上、網下申購統一安排於 7 月 16 日進行，公司即將登陸科創板。
公告顯示，長鑫科技證券代碼為 688825，普通投資者網上申購代碼則為 787825。本次發行總量達 66.88 億股，占發行後總股本約一成，同時授予保薦機構最高 15% 的超額配售選擇權，若全額行使，總發行量可望達到 76.91 億股, 整體募資規模約 295 億元人民幣。
募集資金將全數投向 12 吋晶圓產線擴建、HBM 高階記憶體晶片研發，以及相關配套產能建設。
本次發行採取戰略配售、網下詢價與網上打新相結合的模式，其中半數新股將優先向戰略投資者定向配售，剩餘份額則拆分予機構與散戶投資者參與認購。
時程安排上，7 月 13 日開啟網下初步詢價, 7 月 15 日正式披露最終發行價格，7 月 16 日全天開放網上申購通道，參與申購須持有滬市 A 股對應市值。
長鑫科技於 2016 年在合肥成立，是目前中國唯一實現 DRAM 晶片自主研發與製造一體化的 IDM 廠商。
其全資子公司長鑫存儲已完成 DDR4、DDR5、LPDDR5 全系列記憶體顆粒的量產, 產品線覆蓋伺服器、個人電腦、智慧型手機及智慧汽車運算等應用領域，打破了三星電子、SK 海力士與美光長期壟斷全球 DRAM 市場的格局。
目前，長鑫科技旗下三座 12 英寸晶圓廠持續釋放產能，並已深度供貨小米、聯想以及中國主要雲端服務商等客戶。
市場人士分析，此次上市募資完成後，預期將加速長鑫在高階算力存儲 HBM 產品的研發與落地進度，進一步縮小與海外記憶體大廠之間的技術代差。
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