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《DJ在線》台記憶體廠Capex急增,新產能供給仍緊

MoneyDJ理財網

發布於 01月28日02:39

MoneyDJ新聞 2026-01-28 10:39:13 周佩宇 發佈

AI 應用快速擴張,HBM與高階儲存需求攀升,也改變記憶體產業供需結構。隨價格回溫、客戶拉貨態度轉趨積極,記憶體廠商對中長期需求能見度提高,台灣與國際記憶體廠今年同步拉高資本支出,反映對產業前景的信心,但在產能開出時程拉長、AI 排擠效應持續下,短期供給仍然受限,支撐今年市況維持相對緊俏。不過待 2 至 3 年後新產能陸續到位,屆時供需結構與競爭態勢,將成為觀察下一階段記憶體景氣循環的關鍵。

南亞科(2408)今年資本支出預估將達 500 億元,年增 2.7 倍,創下公司歷史新高,主要用於擴充新廠產能,預計 2028 年上半年可新增約 2 萬片月產能。公司指出,今年資本支出中,約 62 億元為去年預算遞延,其餘約 438 億元中,7 成投入廠務設施、3 成用於設備,實際支出仍待董事會核准。

南亞科指出AI 需求高度集中於 HBM,其單位產能消耗約為一般 DRAM 的 2 至 3 倍,排擠 DDR4、LPDDR4 等傳統產品產能,加上製程一旦升級後不易回頭生產,供給彈性受限,使今年與明年上半年整體供給增加有限。目前市場缺貨仍以 DDR4 與 LPDDR4 最為明顯,南亞科去年第四季這兩類產品產占比已達七成,公司正審慎分配產能、抑制重複下單,預估今年位元成長率可超過 10%。

華邦電(2344)則在去年第四季核准 355.09 億元資本支出預算,涵蓋生產設備、廠務設施與研發設備,資金來源為自有資金及銀行融資,自去年 10 月起陸續投入,主要付款時點落在 2026 年。相關投資將用於擴充高雄廠產能與設備建置,以增加 DRAM 與 NOR Flash 產品產出,預計 2026 年第三季後陸續顯現效益。

華邦電目前高雄廠月產能約 1.5 萬片,全數用於 DRAM 生產,其中 20 奈米製程約占 1 萬片,其餘為 25 奈米製程,並規劃於 2026 年第一季導入 16 奈米製程;台中廠則以 Flash 產品為主,總月產能約 5 萬片,其中 NOR 約 2.5 萬片、NAND 約 1.5 萬片,其餘為傳統型 DRAM。隨著高雄廠擴產及設備投資推進,華邦電預期將逐步提升 DRAM 與 NOR Flash 產出。

旺宏(2337)今年則啟動先前在疫情時核准但尚未全數動用的資本支出計畫。公司過去核准 400 億元資本支出,實際已投入約 180 億元,今年將釋出剩餘 220 億元全力擴張。由於廠房與基礎設施已到位,資金到位後可直接拉進產能投產,具備相對較快的放量條件。旺宏規劃將 12 吋廠月產能由原本約 2 萬片提升至 3 萬片以上,並彈性調度 NAND 與 NOR 產品比重。

在產品布局上,旺宏看好 eMMC 所需的 MLC NAND 市場,在三星停止供應後,市場供給明顯吃緊,目前 19 奈米 2D 及 48/96 層 3D MLC NAND 產線均已準備就緒;NOR Flash 方面,8 吋廠持續滿載生產,公司強調不會減少 NOR 產能,僅新增 NAND 產能將以補足市場缺口為主。

隨記憶體 ASP 回升,DRAM 與 NAND Flash 廠商資本支出重回成長,但國際大廠的投資重心已由擴產轉向製程升級、高層數堆疊、混合鍵合與 HBM 等高附加價值產品,在無塵室空間與新廠建置時程限制下,短期位元產出成長仍相對有限。

而近期美光亦進一步加碼投資,新加坡 NAND 先進晶圓廠總投資金額達 240 億美元,預計 2028 年下半年才開始晶圓產出;若加計先前 70 億美元 HBM 先進封裝投資,美光在新加坡的累積投資已超過 600 億美元,顯示即便國際大廠亦看好 AI 帶動的中長期需求,積極布局以爭取市佔,但新產能實際貢獻仍需 2 至 3 年時間發酵。

延伸閱讀:

華邦電擴產/產品報價走升,驅動營運成長

因應記憶體荒、傳美光將大擴新加坡NAND產能

資料來源-MoneyDJ理財網

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