「中國曼哈頓計劃」遇難關？瑞銀：10年難追艾司摩爾EUV
瑞銀集團分析師預計，中國半導體制造能力未來十年內可能仍難取得足夠進展，以開發出可替代艾司摩爾（ASML）尖端極紫外光刻（EUV，台灣稱微影或曝光）技術的可行方案。
瑞銀分析師在一份報告中指出，「它們（中國）目前的發展階段，似乎與艾司摩爾2004年時相近。」
北京一直向國內晶片產業投入國家資本，以實現自給自足。不過，美國主導的尖端晶片製造設備出口限制，阻礙了這一進程。
總部位於荷蘭的艾司摩爾，是全球唯一一家生產先進曝光機的廠商，這類設備對於製造先進半導體至關重要。中國是艾司摩爾的主要市場之一，但這家晶片設備巨頭被禁止向中國出售EUV設備。
瑞銀分析師根據專利活動，尤其是光源和雷射子系統方面的專利判斷，中國目前的技術成熟度與艾司摩爾開始量產EUV設備前15年時相當。
分析師說，「考慮到中國微影設備在良率和吞吐量方面可能與艾司摩爾存在差距，加上監管限制，我們認為中國微影設備不太可能在中國境外投入使用。」
儘管如此，瑞銀預計，中國將在兩到五年內具備大規模製造浸沒式深紫外（DUV）曝光機的能力。雖然DUV不如極紫外系統先進，但仍是晶片製造的關鍵設備，通過光線將複雜的電路圖案印製到矽晶圓上。
艾司摩爾的DUV售價接近9,000萬美元。相比之下，先進的極紫外曝光設備每台售價超過2億美元。
路透7月28日引述消息人士證實中國開始生產國產DUV，並點名僅創立三年的上海愛晟納電子科技集團，在整合來自中國頂尖初創公司的團隊後，正領導生產工作。