三星據報應輝達要求　下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米

（路透首爾18日電）韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。

根據「首爾經濟日報」（Seoul Economic Daily），此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次在HBM製造階段與台積電合作。

「首爾經濟日報」引述產業消息人士報導，輝達已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）在NVHBM基礎晶粒採用台積電製程，並在核心晶粒採用第6代DRAM技術。

根據輝達，8月發表的NVHBM將輝達客製化記憶體控制器整合進基礎晶粒，旨在統一多家記憶體供應商的實作方式。

據報導，三星經過內部審查後同意輝達的要求，但仍計劃以自有製造模式生產標準HBM，以及為其他客戶量身打造的產品。

「首爾經濟日報」引述一位不具名消息人士指出，三星也正在評估，若需求超出台積電產能，是否可由自家晶圓代工部門生產NVHBM基礎晶粒。中央社（翻譯)