SK 海力士砸 1,100 兆韓圜布局韓國！清州擴 NAND、龍仁打造全球最大 DRAM 基地
SK 海力士宣布將額外投資100 兆韓圜擴建位於韓國清州（Cheongju）園區，擴大3D NAND 與HBM 封裝產能，而這只是SK 海力士總額達1,100 兆韓圜韓國投資計畫的一環。
除了擴充清州產能外，SK 海力士也計畫投入400 兆韓圜建設全新的西南部半導體聚落，另投入600 兆韓圜發展龍仁（Yongin）園區。相較之下，清州雖然投資額較低，但是是唯一已公開細節的專案。
SK 海力士表示，將在清州園區新建一座3D NAND 晶圓廠，導入生產設備，並擴充HBM 後段製程所需的先進封裝能力。該公司明年建設M17 晶圓廠，最快2029 年開始投產。M17 投資金額約80 兆韓圜，而新建的P&T7 封測廠則將投資約20 兆韓圜。
▲ SK 海力士砸 1,100 兆韓圜布局韓國。（Source：SK 海力士）
目前 SK 海力士清州園區擁有 M11、M12 與 M15 等主要 3D NAND 晶圓廠。由於高層數 3D NAND 與 HBM 堆疊產品採用相近的封裝技術，清州園區正從 3D NAND 基地逐步轉型為 HBM 基地。其中，M15X 負責生產 DRAM 晶粒，P&T3 則負責 HBM 封裝作業。
然而，相較於清州NAND 與HBM 封裝業務的投資規模，SK 海力士對其他專案的投入更加驚人。SK 海力士計畫在龍仁半導體聚落投資約3,893 億美元，將是公司歷來規模最大的投資案，並使龍仁成為其全球最大的DRAM 生產基地。
▲ 龍仁半導體產業群聚的示意圖。（Source：SK 海力士）
龍仁第一座晶圓廠預計於2027 年5 月開始投產，其餘晶圓廠則將依序建置，預期將於2028 至2029 年開始對全球記憶體市場帶來實質影響。根據此次計畫，四座晶圓廠將於2033 年前全數完成建設，較原先預計於2045 年完成的時程大幅提前，而總額約3,893 億美元的投資也將持續延伸至2033 年之後。
至於西南部半導體聚落則仍在規畫階段，目前也不確定具體選址。不過，西南部半導體聚落將是繼利川、清州及龍仁之後的下一個大型製造基地，目前規劃投資總額約為400 兆韓圜。SK 海力士表示，由於打造一座全新的半導體聚落，包括選址及基礎建設在內，都需要耗費多年時間，必須及早展開準備。以龍仁半導體聚落為例，從規劃到推動開發便耗時約九年。
除了SK 海力士之外，三星也正持續加碼投資韓國。三星近期宣布，計畫在韓國忠清道地區（Chungcheong）投資約140 兆韓圜，擴大當地營運布局。
根據規劃，三星顯示器將擴充牙山（Asan）OLED 生產線；三星電子將於溫陽（Onyang）新建五條HBM 生產線，並升級天安（Cheonan）HBM 相關設施；三星SDI 將於天安建立電池生產線，用於驗證下一代電池技術；三星電機則將於世宗（Sejong）擴建AI 伺服器封裝基板產能。
（首圖來源：SK 海力士）