三星不再全押自家晶圓代工 HBM基礎裸晶傳採台積電製程
三星電子(005930KS) 的高頻寬記憶體（HBM）基礎裸晶供應策略迎來調整。業界傳出，三星在客製化HBM時代，將擺脫過去完全依賴內部晶圓代工的模式，改採三星晶圓代工與台積電(2330-TW) (TSM-US) 製程並行的「雙軌」策略，以提高供應鏈彈性並滿足不同客戶需求。
韓媒《ZDNet Korea》引述業界消息報導，三星電子計畫在客製化HBM的基礎裸晶上，同時採用三星晶圓代工（Samsung Foundry）與台積電製程。
外界認為，三星此舉主要是因應客戶對HBM產品客製化需求增加，試圖提升基礎裸晶供應鏈的靈活度。
HBM主要由多層堆疊的DRAM核心裸晶（core die），以及位於下方、負責連接記憶體與系統半導體的基礎裸晶（base die）組成。基礎裸晶可協助記憶體與系統晶片間進行高速資料傳輸，隨著HBM世代升級，其重要性也持續提升。
隨著HBM4開始量產，三星電子與SK海力士已不再採用傳統DRAM製程製造基礎裸晶，而是改由晶圓代工製程生產。相較於DRAM製程，晶圓代工技術更有利於在基礎裸晶中整合更多功能，進一步提升HBM產品效能與能源效率。
過去三星電子主要透過旗下系統LSI事業部與晶圓代工事業部，自行取得HBM所需的基礎裸晶。
不過，市場傳出，在輝達(NVDA-US) 近期公布的客製化HBM架構NVHBM方面，三星將採用更彈性的供應方式。三星預計以自家HBM核心裸晶為基礎，依照客戶需求，混合搭載由三星晶圓代工製造的基礎裸晶，以及由台積電製程製造的基礎裸晶。
報導指出，若三星HBM基礎裸晶改由台積電製程，相關晶片設計與最佳化支援將由三星記憶體事業部負責，而三星系統LSI事業部則主要負責設計供自家晶圓代工使用的產品。
業界人士透露，部分系統LSI事業部人員已轉至三星記憶體事業部，負責與台積電基礎裸晶相關的工作，目前已有客戶開始以三星HBM核心裸晶搭配台積電製程基礎裸晶進行產品設計。
因應AI需求 三星尋求HBM競爭突破
業界人士表示，三星電子計畫針對NVHBM用基礎裸晶，依照客戶要求，同時採用內部晶圓代工與台積電製程的雙軌方式，至於實際採用比例，將視最終客戶需求而定。
報導分析，台積電目前透過晶圓代工與先進封裝技術，已與輝達等全球大型科技企業建立供應鏈合作關係，在產品穩定性與效能方面受到客戶高度重視。
若三星仍堅持完全採用自家晶圓代工的一站式生產模式，可能愈來愈難以滿足AI晶片市場對客製化HBM的多元需求。
因此，三星導入台積電製程基礎裸晶，被視為其強化HBM競爭力的重要調整，也反映AI運算需求快速成長下，記憶體業者正逐步從單純提升容量與速度，轉向更高度客製化的供應鏈布局。
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