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中國傳突破門檻造出EUV光刻機 ASML執行長打臉:他們落後8世代

太報

更新於 01月02日04:34 • 發布於 01月02日03:27 • 林佳鋒
EUV技術難度高,ASML執行長認為中國技術仍未達到水平。資料照,英特爾提供

近期傳出中國突破技術門檻,成功研發國產EUV光刻機,被視為半導體界「曼哈頓計畫」,引起業界重視,更有人說荷蘭半導體設備霸主ASML將被撼動。ASML執行長福克(Christophe Fouquet)接受荷媒專訪時駁斥,目前毫無證據顯示中國接近這一水準,直言中國因8年沒有EUV存取權,技術落後8代之多,短期內恐難突破。

福克接受荷蘭《電訊報》(De Telegraaf)專訪時提到,外傳中國打造出國產EUV,他直言,由於國際制裁及出口管制,中國已有8年無法取得EUV設備存取權,意味中國在先進製程領域,落後了8代。

不過福克也提到,中國將重心放在主流晶片,確實在國家資本加持下,技術門檻較低的領域已取得進展,由於投入金額龐大,將逐步開始影響全球產業平衡,但是尖端曝光技術仍有不小的鴻溝。

記者問到,中國是否會因西方封鎖,導致技術差距鴻溝過大,被迫加速建立自主完整的技術體系?福克認為,不能排除這種可能性,但是在EUV領域,技術難度很高,即時中國試圖追趕,但仍看不到他們已經接近此一水準的證據,這是10年等級的挑戰,而非3年就可解決。

另外,福克也證實公司高層確實與政府監管機構保持對話,但討論過程不會針對特定國家點名,而是解釋這項技術的運作原理,包括EUV的複雜程度以及需要多少時間成本,想要突破並不容易。

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