繼台積電後，美國補助三星最高 64 億美元
美國政府 15 日宣布，補助三星電子最高 64 億美元。三星也宣布投資美國德州超過 400 億美元，建設 2 奈米廠等一系列半導體設施。
與台積電一樣，三星也與美國政府簽訂不具約束力的初步備忘錄。三星預定德州兩個地點建立半導體生態群，包括泰勒市興建兩座先進邏輯晶片代工廠，分別採 4 奈米和 2 奈米先進製程，還將在泰勒市設立一座先進製程研發基地。
除了先進製程，三星也宣布泰勒市設立一座先進封裝廠，可生產 3D HBM 和 2.5D 晶片封裝。德州奧斯汀也會擴建，擴大 FD-SOI 製程產能。
三星投資五年內將為美國創造超過 17,000 個建築產業職缺，和 4,500 多個高薪製造業工作。配套措施是美國政府《晶片與科學法案》提供 4,000 萬美元當地勞動力培訓資金。
三星 DS 事業部總裁 Kye Hyun Kyung 表示，三星不僅擴大生產設施，也加強本地半導體生態系統，並將美國定位為全球半導體製造地。為了滿足美國客戶需求，對人工智慧晶片等未來產品，三星晶圓廠將配備尖端製程，並幫助提高美國半導體供應鏈安全性。
(首圖來源：三星)