搶攻先進半導體製程商機，科磊宣布推出 5 種顯影控制系統

為爭取新世代先進半導體製程商機，半導體檢測大廠美商科磊（KLA-Tencor）公司於 12 日宣布，針對 7 奈米以下的邏輯和記憶體設計節點，推出 5 款顯影成型控制系統，幫助晶片製造商實現多重曝光技術和極紫外線（EUV）微影所需的嚴格製程公差。

KLA-Tencor 行銷長暨資深副總經理 Oreste Donzella 表示，對 7 奈米和 5 奈米設計節點，晶片製造商在生產中找到疊對誤差、線寬尺寸不均和熱點（hotspot）的根本起因變得越來越困難。除了曝光機的校正，科磊的客戶也在了解不同的光罩和晶圓製程步驟變化如何影響顯影成型。透過提供全製造廠範圍的開放式量測和檢測資料，IC 工程師可迅速定位製程問題，並在發生的位置直接管理。

科磊公司指出，目前推出的 5 款系統，將為客戶提供最尖端的技術，讓客戶降低每個晶圓、光罩和製程步驟導致的顯影成型誤差。科磊進一步解釋，在 IC 製造廠內，科磊新推出的 ATL 疊對量測系統和 SpectraFilmF1 薄膜量測系統，可針對 finFET、DRAM、3D NAND 和其他複雜元件結構的製造提供製程表徵分析和偏移監控。

至於，Teron 640e 光罩檢測產品系列和 LMS IPRO7 光罩疊對位準量測系統，則協助光罩廠開發鑑定 EUV 和先進的光學光罩。另 5DAnalyzer X1 高級資料分析系統，則提供開放架構基礎，以支援晶圓廠量身訂做的分析和實時製程控制的應用。Oreste Donzella 指出，這 5 款新系統拓展了科磊的多元化量測、檢測和資料分析系統組合，從根源就辨識和糾正製程變化。

因南韓晶圓代工大廠三星於 11 日才宣布，將在 2018 年推出導入及紫外線微影設備的 7 奈米製程。對此，科磊公司不僅是南韓三星，還包含台積電都是科磊長久以來的客戶。隨著先進製程投入，可能帶動檢測設備商機提早來到。但現階段這些對市場的商機預測，還是必須要看晶圓代工大廠在未來先進製程的導入情況而定。

（首圖來源：科磊）