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ASML執行長:首批High NA EUV製晶片數月內問世

路透社

更新於 05月19日13:43 • 發布於 05月19日13:43

(路透安特衛普19日電)世界頂尖半導體生產設備製造商艾司摩爾(ASML)執行長福克今天說,預期幾個月內可看到使用其新一代微影設備高數值孔徑(High NA)極紫外光(EUV)機製造的首批產品問世。

ASML最大客戶台積電4月才表示,High NA EUV曝光機太過昂貴。這種機器每台價格最高可達4億美元(約新台幣126億6000萬元)。

不過,福克(Christophe Fouquet)今天在比利時的微電子研究中心(imec)主辦的一場會議上說,High NA EUV曝光機將降低最先進晶片的圖案化(patterning)成本,無論是邏輯晶片或記憶晶片。

他並表示:「接下來幾個月內,我們將見到首批在High NA系統上曝光(製造)的少數產品,無論是記憶體或邏輯應用。」中央社(翻譯)

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