三星加速導入 1c DRAM 設備，全力趕上 HBM4 量產時程
據《DealSite》報導，三星電子正加速導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 設備，目標在明年初啟動 HBM4 量產，努力追趕已率先與輝達簽署供應合約並進入量產階段的 SK 海力士。
業界消息指出，三星近期已在平澤園區（Pyeongtaek）完成第二廠（P2）1c DRAM 設備建置，並同步於第三廠（P3）與第四廠（P4）導入新設備，積極擴充先進製程產能。
三星預計於本月完成最終客戶樣品（Customer Sample，CS）的內部可靠度測試（PRA），隨後將樣品送交輝達進行 GPU 整合驗證。若進展順利，產品有望於明年下半年正式出貨。公司內部人士透露，CS 測試結束後，輝達將展開為期約四個月的 GPU 驗證流程，完成最終認證後，三星可望於明年初開始分配量產訂單。
三星原先在平澤第二廠（P2）與第三廠（P3）主要生產前一世代 DRAM 產品，但隨著市場需求轉向高效能與高頻寬應用，公司近來逐步減產舊製程晶片，並將部分產線改造為最新的 1c 製程。這項改造工程透過升級既有廠房與設備，讓舊產線能生產新一代記憶體晶片。
目前，HBM4 的核心生產據點第四廠（P4）預定於明年啟動；主晶圓廠 PH1 已同時運作 NAND 與 1c DRAM 產線，PH3 自 6 月起導入新設備，PH4 正在建設階段，PH2 則預計在年底或明年初開工。
儘管 1c 製程開發進展穩定，但量產良率仍是三星面臨的最大挑戰。據業界人士透露，目前以 1c 製程生產的 HBM4 樣品良率約為 50%，尚未達到量產門檻。由於 HBM4 採用多層堆疊結構，晶粒面積較前代 HBM3E 更大，同一晶圓可產生的良品數量相對減少，也使良率提升速度緩慢。
三星為此同步強化後段封裝流程，並與韓美半導體（Hanmi Semiconductor）展開合作，以穩定堆疊精度與整體製程品質。分析指出，若能將 HBM4 晶圓良率提高至 70% 以上，將具備轉入量產的條件。
業界普遍認為，三星此舉與輝達明年下半年推出的次世代 AI 加速器 Rubin 時程密切呼應。考量 SK 海力士已於 9 月宣布完成 HBM4 量產體系，三星的設備導入與產線改造已進入最後階段，但能否在短期內達到穩定良率，仍需觀察。
（首圖來源：三星）