英特爾High-NA EUV搶先量產 攜ASML推進大尺寸光罩
AI晶片製程微縮競賽升溫，High-NA EUV加速由研發走向量產。英特爾晶圓代工（Intel Foundry）與艾司摩爾（ASML）8日宣布，High-NA EUV已導入英特爾高量產製造（HVM），並應用於代號Panther Lake的Intel Core Ultra Series 3處理器部分特定層，相關製程累計已製造超過100萬片晶圓；英特爾並攜手ASML推動光罩由現行6吋朝6×12吋大尺寸規格演進，為High-NA EUV規模化應用鋪路。
英特爾此次揭露High-NA EUV量產進展，時間點正值先進晶圓代工業者陸續加速布局下一世代微影技術。隨著AI與高效能運算（HPC）晶片電晶體密度持續提高，High-NA EUV可望成為2奈米以下乃至埃米世代製程持續微縮的重要技術，設備、光罩、材料、量測與EDA生態系亦將同步迎來新一波升級需求。
英特爾指出，High-NA EUV已從早期設備認證、測試及研發階段，進一步導入Panther Lake部分特定層量產，迄今累計超過100萬片晶圓採用相關製程，其疊對精度（Overlay）、產能（Throughput）及設備可用率（Availability）均達到公司預期。
此外，採用Intel 18A製程生產、並於特定層使用High-NA EUV的產品，相關表現持續達到甚至超越ASML現行NXE平台，也就是數值孔徑0.33 EUV設備製作的對應層，顯示High-NA EUV已逐步跨越實驗性技術階段，朝實際量產環境推進。
High-NA EUV數值孔徑由現行EUV的0.33提高至0.55，可進一步提升微影解析能力，但曝光視場縮小也帶來新的晶片設計與光罩挑戰。英特爾目前採取兩條路徑並進，一方面讓客戶沿用業界現行6吋光罩規格，透過平面規劃及光罩拼接（Reticle Stitching）技術取得High-NA EUV效益；另一方面則推動更大型的6×12吋光罩規格，為未來大規模採用High-NA EUV預作準備。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，從2024年安裝首套商用EXE系統、完成最新一代設備認證，到出貨首款採用High-NA製造的高量產邏輯產品，英特爾一直是帶動產業採用High-NA的重要業者，並肯定英特爾透過6吋光罩方案創造現階段應用價值，以及長期支持光罩朝6×12吋規格演進。
英特爾執行副總裁暨晶圓代工共同總經理Naga Chandrasekaran指出，面對複雜度快速提高的AI產品，客戶需要已具備量產條件且容易使用的製造創新技術。英特爾近期聚焦支援客戶利用6吋光罩採用High-NA EUV，無論是否搭配拼接技術，同時持續推動產業朝6×12吋光罩轉型。
業界關注，大尺寸光罩若進一步成為High-NA EUV產業標準，牽動的不只是曝光設備，包括光罩基板、光罩製造與檢測、光阻與相關材料、自動化搬運、量測設備及EDA工具均須配合升級。英特爾與ASML已與光罩製造商、自動化設備商、EDA業者、材料供應商及半導體製造商合作，建立下一階段High-NA EUV規模化所需的標準及基礎設施。
隨英特爾率先揭露High-NA EUV量產成果，加上台積電同步推進High-NA EUV與12吋光罩布局，全球先進製程競爭進一步加劇。ASML EXE平台，以及光罩、材料、檢測與先進製程設備供應鏈，可望成為下一波半導體資本支出的重要戰場。