半金屬成超高導電新材料，室溫下導電率為銅 3 倍
來自中國與美國加州大學戴維斯分校的研究人員，最近開發出新的外爾半金屬材料：砷化鈮薄層，測量結果顯示其室溫下導電率約為銅的 3 倍，為新型電子設備鋪路。
導體（conductor）依其導電性可細分為：超導體、導體、半導體及絕緣體，而外爾半金屬（Weyl semimetal）是拓樸材料其中一類，但它不是導體也不是絕緣體，而是介於兩者之間的一種新型材料。
加州大學戴維斯分校物理學教授 Sergey Savrasov 指出，砷化鈮（niobium arsenide，化學式 NbAs）便屬於外爾半金屬，由於表面填滿一些特殊的量子態，這些量子態位於塊體能帶結構的帶隙之中，從而允許表面導電，現在該團隊與中國科學家的合作研究表明，砷化鈮的二維奈米帶能產生相當高的導電率，約銅的 3 倍。
大多數材料的表面會從環境中吸收雜質並發生化學變化，你可以想像電子流經這種表面遇到雜質時會反彈或散射，致使導電性能受干擾；但拓撲保護的表面會排斥這些雜質，電子佔據所有量子態以致能快速通行，另一方面來講也降低能耗。當電路設計板越來越小時，這種高導電性的材料便發揮效用。
雖然銅的延展性好、導熱性及導電性高，是電線、電子元件最常使用的材料，但隨著銅層變得越來越薄，電阻反而會越來越大、導電性能迅速變差，也因此在目前的二維材料產品化中，最廣泛應用的材料變成電阻率最低的石墨烯。可惜石墨烯不具備半導體最重要的特性──能隙，所以它不是當半導體材料的料，在相關應用中受限，而電子性質與石墨烯類似的二硫化鉬（MoS2）成為主流。
但世界上許多優異團隊都在尋找性能更加極致的半導體材料，比如台灣成功大學物理系教授吳忠霖團隊曾研發出厚度僅 0.7 奈米的二硒化鎢二極體，以及現在加州大學戴維斯分校與中國團隊發表的外爾半金屬砷化鈮。
新論文發表在《自然材料》期刊（Nature Materials）。
（首圖來源：加州大學戴維斯分校）