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M31攜手Ambiq推台積電N12e超低功耗IP 搶AI邊緣商機

anue鉅亨網

更新於 1天前 • 發布於 1天前
M31 行銷副總 Jayanta Lahir 於TSMC OIP NA。(圖:M31提供)

IP供應商 M31 (6643-TW)今(24)日於台積電(2330-TW)(TSM-US)北美開放創新平台論壇(TSMC North America OIP Forum),與超低功耗邊緣 AI 半導體解決方案領導廠商 Ambiq 共同宣布,雙方合作開發並推出一套基於台積電 N12e 製程的超低功耗 Foundation IP (基礎IP)解決方案。

M31指出,此方案為整合經最佳化的 SPSRAM 記憶體編譯器與專為 Ambiq 平台需求共同開發的超低漏電標準元件庫,可協助 IC 設計客戶在 AIoT、穿戴式裝置及其他「常時運作」(Always-on)邊緣應用中,滿足日益嚴苛的功耗與面積預算要求。

隨著 SoC 持續導入常時運作與嵌入式智慧功能,對功耗的要求日益嚴苛,同時晶片面積限制與投片時程也更趨緊湊。M31表示,此方案採用台積電 N12e 製程,提供可快速整合導入的 Foundation IP,在提升能源效率的同時兼顧所需運算效能,以滿足 AIoT 與邊緣運算等應用需求。

本次 Foundation IP 內容包含一套台積公司 N12e® ULL (超低漏電) SPSRAM 記憶體編譯器,目標在極低漏電的前提下,同時提供高密度、高效能與面積最佳化,並整合備援機制、電源閘控及內建自我測試等關鍵低功耗功能。該編譯器透過電路設計與實體佈局的深度協同最佳化,在相同的記憶體巨集占用面積下,可同時支援高效能與超低功耗兩種操作模式。

在低功耗模式下,其雙電源軌架構可在近臨界電壓周邊電壓條件下達到接近 500 MHz 的運作頻率,並將 VCCA 資料保留模式下的漏電控制在僅約為bit-cell總保留漏電(Total bit-cell retention leakage)的 1.05–1.1 倍。目前初步導入的記憶體實例已展現優異的 PPA 成效,完整編譯器仍持續開發中。

與記憶體編譯器相輔相成的是,M31 提供的台積電 N12e 標準元件庫。該元件庫係專為 Ambiq 平台需求而開發,透過與 Ambiq 的設計層級協作,結合其 cascade-style 低功耗方法與 M31 在電路與實體佈局上的創新,約可節省 50% 的漏電功耗。

此套 Foundation IP 旨在加速新世代常時感測與邊緣智慧的應用導入,可協助客戶縮短設計週期、加快上市時程,以超低漏電設計強化能源效率,並透過協助縮小晶片面積與降低重新設計成本,提升整體成本效益。

Ambiq 創辦人暨技術長 Scott Hanson 表示,能源效率必須從 SoC 的基礎元件就開始著手,尤其當邊緣裝置逐步承載更複雜的 AI 工作負載。我們與 M31 的合作結合雙方在低功耗設計的專長,並為我們在台積電 N12e 製程上的次世代核心平台提供關鍵技術基礎。

M31 副總經理 Jayanta Lahiri 表示,客戶在追求前所未有的能效與面積目標的同時,仍需確保足夠的運算效能與即時反應。透過將我們的高效率記憶體編譯器與專為 Ambiq 平台需求打造、並於台積電 N12e 製程上與 Ambiq 協同最佳化的標準元件庫相結合,我們可提供更務實、易於導入的 Foundation IP 解決方案,協助客戶達成具挑戰性的 PPA 目標。

展望未來,M31 將持續在先進製程擴充低功耗 IP 產品組合,並與生態系夥伴緊密合作,推動高效能、低漏電的解決方案,支援下一波 Edge AI 應用發展。

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