搶攻HBM 美光砸錢擴充日本產能、後年下半裝機
MoneyDJ新聞 2026-07-06 06:52:49 郭妍希 發佈
美國記憶體大廠美光(Micron Technology)的日本廣島縣廠房擴建工程週六(7月4日)舉辦了破土儀式，準備擴充先進記憶體晶片產能。
Seeking Alpha、日本放送協會(NHK World)等外電報導，這座位於廣島縣東廣島市的廠房目前為美光生產DRAM。美光將為本次擴充行動投資1.5兆日圓(93億美元)，而日本經濟產業省則會提供最多5,360億日圓(33億美元)的補貼。
美光表示，興建計畫會分階段推進，半導體製造設備的進場安裝作業則預定於2028年下半年展開。
美光執行長Sanjay Mehrotra在動土典禮上表示，「美光史上第一片HBM生產晶圓，正是誕生在廣島這片土地上。」
美光2013年併購當時已破產的日本DRAM製造商爾必達(Elpida Memory)之際，就將上述廠房納入麾下。廠房擴充後，預計將協助美光生產次世代關鍵晶片，例如輝達(Nvidia)等大廠製造AI處理器時需要的高頻寬記憶體(HBM)。
美光正在愛達荷州博伊西(Boise)興建兩座最先進的晶圓廠，其位於紐約州雪城(Syracuse)郊區、總投資額高達1,000億美元的超級生產基地，今(2026)年1月也舉行了動土典禮。與此同時，南韓的SK海力士(SK Hynix)與三星電子(Samsung Electronics)也在大舉擴張產能。
美光6月24日公布財報時預測，第四季度(6-8月)資本支出將達約100億美元，超出分析師原先預估的88.9億美元。美光已與資料中心營運商、汽車製造商等客戶簽署了16份長期協議(LTA)，鎖定未來三到五年的銷售表現。
展望未來，執行長Mehrotra當時在財報電話會議表示，DRAM與NAND型快閃記憶體的供需吃緊狀態，都將延續至2027年過後。
在DRAM方面， Mehrotra預期2026年整體產業的DRAM位元出貨量年成長率將介於20~25%之間(low- to mid-20s)，略高於公司原先預期。NAND型快閃記憶體方面，預估2026年整體產業的NAND位元出貨量將成長約20%，與先前預期相同。
(圖片來源：美光)
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