長鑫DRAM突破掀國安風暴　中國記憶體恐成AI機密外洩後門？

中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）宣布下一代4F² DRAM架構取得重大進展，並計畫於2026年底推出相關DDR5伺服器記憶體產品，不僅震撼全球記憶體市場，更引發另一項值得關注的問題：當人工智慧（AI）逐漸深入企業營運、國防工業及政府機密系統，未來若大量採用中國製造的記憶體，是否可能讓企業研發資料，甚至國家機密暴露於資訊安全風險之中？

這場記憶體戰爭，恐怕早已不只是價格與產能的競爭，更逐漸演變成攸關國家安全、科技主權及AI供應鏈控制權的戰略角力。

長鑫4F²技術突破　美韓記憶體霸權面臨挑戰

長鑫存儲總裁曹堪宇近期宣布，公司正在推進4F² DRAM儲存單元架構，透過垂直環繞閘極電晶體（VSG）技術改善漏電問題，並朝高密度記憶體產品發展。相較傳統6F²架構，新技術可縮小儲存單元面積，理論上提高記憶體密度、降低每位元製造成本。

消息傳出後，10月12日美股記憶體族群承受賣壓，美光（Micron）下跌3.88%，收989.04美元，反映市場擔憂中國業者若成功擴大量產，可能再次引發記憶體產業削價競爭。

全球首富馬斯克（Elon Musk）也在社群平台X相關討論中提及中國強大的製造規模化能力。過去中國已在太陽能、鋰電池等產業展現快速擴產的競爭優勢，若類似模式複製至記憶體市場，恐對美光、三星及SK海力士形成長期挑戰。

不過，技術突破不代表已具備成熟量產能力。長鑫仍須證明產品良率、可靠度及客戶驗證結果，而且目前瞄準的是DDR5伺服器記憶體，與AI加速器所需的高頻寬記憶體（HBM）仍存在技術差異。

中國記憶體會竊取AI機密？真正風險不在DRAM本身

更值得注意的是，隨著AI逐漸成為企業工作的核心工具，使用者輸入的財務報表、研發文件、晶片設計及商業機密，在AI運算過程中，都可能暫時存放於伺服器的DRAM記憶體內。

假設未來美國大型AI資料中心採用長鑫DDR5產品，這些記憶體確實可能接觸到部分敏感資訊。然而，一般DRAM主要負責資料讀寫與暫存，本身並不具備獨立連接網路、主動傳送資料的功能。

因此，使用中國記憶體，不代表機密就會自動傳送至中國政府。 截至目前，亦缺乏足夠公開證據證實長鑫DRAM已被植入可以直接竊取AI對話的惡意後門。

但從國家安全角度來看，硬體供應鏈遭到惡意修改的可能性，仍不能完全排除。若晶片設計、製造或封裝過程遭人植入異常電路，理論上可能干擾資料完整性，甚至在特定條件下配合其他遭入侵的系統元件發動攻擊。

2025年瑞士蘇黎世聯邦理工學院與Google研究人員揭露的Phoenix攻擊，就證明特定SK海力士DDR5記憶體仍可能受到Rowhammer漏洞影響。這項研究雖然與中國無關，卻凸顯記憶體晶片確實存在可能遭駭客利用的硬體弱點。

換言之，資安漏洞不等於政府後門，而真正的安全風險也不能只憑晶片產地判斷。

美國已將長鑫納入國安清單　2027年採購限制成關鍵

事實上，美國政府早已將中國半導體供應鏈視為國家安全議題。

美國國防部2026年6月公布的1260H中國軍事企業清單中，長鑫存儲名列其中，美方認定其與中國工業和資訊化部及國有資產監督管理機構存在關聯。這項認定反映美國政府的國安疑慮，但並不等於已證實長鑫產品具有間諜功能。

另一方面，美國《2023財年國防授權法》第5949條，已將長鑫存儲、長江存儲（YMTC）及中芯國際（SMIC）列入特定半導體採購限制範圍。

依2026年2月公布的聯邦採購規則草案，相關禁令預定於2027年12月23日起適用，限制聯邦政府採購含有受管制半導體的特定電子產品及服務，並保留部分例外與豁免機制。

這項政策的戰略意義在於，美國並非必須先證明中國DRAM存在惡意後門，才開始管理高敏感系統的供應鏈風險，而是透過採購規範，提前降低國防及政府系統對特定供應商的依賴。

若美中科技對抗升級　AI資料中心恐成下一個戰場

從美國國家安全決策角度觀察，未來最可能進一步強化限制的領域，包括軍事AI、情報分析、國防承包商、政府機密伺服器及關鍵基礎設施。

尤其AI運算需要大量記憶體支援，DRAM已成為現代資料中心不可或缺的基礎元件。一旦特定供應商同時掌握成本優勢與大規模供貨能力，除了資訊安全疑慮，也可能產生供應依賴及地緣政治風險。

不過，全面禁止中國記憶體進入所有商業市場，也可能提高企業採購成本，甚至刺激中國加快半導體自主化。因此，美國更合理的政策方向，可能是針對軍事與機密系統實施嚴格限制，對一般商業市場則採取風險分級、產品驗證及供應鏈追溯制度。

對企業而言，真正需要優先管理的問題，反而是AI平台如何處理、保存及存取機密資料。若直接將未公開的財務資訊或研發文件上傳至未經授權的雲端AI服務，其資料揭露風險，可能遠比單純使用某國製造的DRAM更加直接。

台灣記憶體產業迎來新考驗　可信供應鏈成競爭籌碼

這場美中記憶體競爭，也為台灣半導體產業帶來新的觀察方向。

包括南亞科（2408）、華邦電（2344）等台灣DRAM業者，未來除了面對長鑫擴產可能引發的價格競爭，也有機會透過產品升級、供應來源多元化及供應鏈可信度，爭取部分國際客戶訂單。

然而，是否能切入美國高敏感應用市場，仍取決於產品規格、可靠度、產能、客戶驗證及相關安全認證，並非只要不是中國製造就必然受惠。

對美光、三星及SK海力士而言，未來更可能形成雙重競爭局面：一般型DRAM承受中國低成本擴產壓力，高階HBM與具備安全審查要求的伺服器記憶體，則成為守住技術與獲利優勢的重要領域。

長鑫4F²技術究竟能否改變全球記憶體版圖，仍須等待量產結果驗證；但可以確定的是，AI時代的記憶體競爭，已經不再單純比誰的容量大、成本低。

當資料逐漸成為國家最重要的戰略資產，誰能提供安全、可靠且不易受到地緣政治干擾的記憶體供應鏈，或許將成為下一輪半導體競爭的關鍵。

中國記憶體未必是AI機密的後門，但對美國而言，讓涉及國家機密的AI系統高度依賴缺乏充分安全驗證的供應鏈，本身就是必須提前防範的戰略風險。

▲美中記憶體戰爭

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