中國還造不出 EUV，卻可能先搶走 ASML 中國訂單：出口管制正改寫設備採購邏輯
近期，中國計畫生產自製光刻設備的消息震撼市場，導致荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）股價在一週內重挫 8%。然而，《Financial Times》指出，這項進展並未對 ASML 的市場壟斷地位構成立即威脅。因為在技術層面上，中國在深紫外光（DUV）光刻設備領域仍落後約一個技術世代，且與 ASML 更先進的極紫外光（EUV）設備相比，仍存在約十年的技術差距。
從產能規模來看，中國預計在 2027 年生產約 20 台浸潤式 DUV 設備，與 ASML 僅在 2025 年就出貨 131 台的既有規模相去甚遠。摩根大通分析師據此指出，中國自製設備在中短期內對 ASML 造成的實質損害相當有限。然而，即使中國設備在技術、產能與可靠度上均未追上 ASML，這波自研浪潮仍已向市場發出警訊，大幅提高 ASML 中國營收面臨的長期風險。
出口管制留下市場真空，中國晶圓廠可能開始接受效能較差的國產設備
在當前破碎的全球貿易體系下，美國禁止 ASML 向中國出口最先進的極紫外光（EUV）設備，迫使中國踏上自主研發光刻機的道路。同時，美國也限制 ASML 最先進的浸潤式深紫外光（DUV）設備輸入中國。美國國會目前甚至進一步討論「多邊技術控制硬體協調法案」（MATCH Act），試圖全面防堵其餘浸潤式 DUV 設備流入中國。然而，出口管制形成的市場真空，恰好是上海愛晟納等中國本土企業目前全力鎖定的核心設備市場。
產業研究人員指出，美國這波嚴厲的出口管制，反而意外替中國國產光刻機創造了商業立足點。因為在正常市況下，晶圓代工廠若採用效能與能力較差的系統，勢必得承受生產力下滑與單顆晶片成本攀升的劣勢。然而，當政治風險使外國設備未來可能隨時遭到全面禁售，甚至無法取得後續維修與售後服務時，中國晶圓廠顯然比以往更願意接受國產設備效能較差的代價。
中國 DUV 仍落後四代，ASML 的真正優勢不只是一台光刻機
然而，這並不代表 ASML 的技術護城河已經崩塌。《Financial Times》分析，光刻機與一般晶片或大型語言模型不同，難以套用常規競爭邏輯，因為整個光刻製程涉及無數個高度精密且彼此連動的環節。光刻技術的精確度更是以原子尺度衡量，其製程所能容許的誤差也遠低於其他工業產品。
此外，光刻設備在運作時需要持續進行微調，而 ASML 每年藉由出貨數百台設備所取得的龐大運作數據，能為後續技術改善提供中國目前難以比擬的即時回饋。中國競爭對手若想追趕，必須跨越 ASML 長達四十年的技術護城河，以及一套包含約 10 萬種不同精密零件的複雜供應鏈。
根據《Asia Times》報導，中國目前正在研發的國產設備主要鎖定 28 奈米製程，其性能大致相當於 ASML 在 2008 年推出、用於製造 28 奈米晶片的 TWINSCAN NXT:1950i 設備。中國評論者也指出，中國國產 28 奈米 DUV 光刻機仍落後 ASML 約四個世代。
雖然有報導宣稱，該設備約有 70%的零組件可由中國本土供應，但部分關鍵雷射鏡片、蔡司鏡頭、真空腔體、同步控制軟體，以及氟化氬（ArF）浸潤式光源等核心部件，目前仍高度依賴進口，或必須從次級市場取得。同時，中國產業媒體也指出，相關設備目前尚未進入中國的商業晶圓廠，仍處於測試階段，因此實際穩定量產時的良率表現至今仍未獲得證實。
中國不必攻破 EUV 壟斷，也可能先讓 ASML 失去中國市場
即便如此，這也不代表中國無法對 ASML 造成威脅。《Financial Times》認為，中國擁有充足的人才與資金，其中製造業勞工與工程師數量遠超過歐洲與美國的總和，為其建立國產光刻機技術與供應體系奠定堅實的人力基礎。
同時，中國企業在建立與管理高效率供應鏈方面也已有成功案例，電動車製造商比亞迪（BYD）就是代表。因此，基於人才、資金、政府資源調度能力及供應鏈管理經驗，《Financial Times》認為，中國最終仍可能成功建立自己的光刻機能力。
這不代表中國能在短期內突破 ASML 在 EUV 領域的壟斷地位，但 ASML 可能失去部分中國市場銷售。過去一年，中國市場貢獻 ASML 總營收約三分之一。
回顧歷史，ASML 花了 12 年才推出 EUV 原型設備，接著又投入長達 8 年，才將生產力提高到足以吸引商業客戶的程度。這也顯示，中國與 ASML 之間的技術鴻溝，遠比晶片本身或 AI 模型領域的技術差距更大。
因此，ASML 的市場壟斷在短期內確實沒有面臨立即性危險，但《Financial Times》仍提醒，這項壟斷地位在出口管制的推波助瀾下，已不再牢不可破。擁有壟斷地位固然非常有價值，但真正的關鍵挑戰，在於能否在長期競爭中維持這項壟斷。
＊本文開放合作夥伴轉載，參考資料：《Financial Times》、《Reuters》、《Asia Times》，首圖來源：ASML