美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證，技術上不須推進 EUV 應用

2018 年在邏輯 IC 的生產方面，包括台積電、三星及格羅方德等都會量產 7 奈米製程。首代的 7 奈米製成將使用傳統的 DUV 光刻技術，第二代 7 奈米製程才會上 EUV 光刻技術，且在 2019 年正式量產。至於，在記憶體產業部分，美光日前也表示，EUV 光刻技術並不是 DRAM 製程中所必須的，而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前，美光在新一代製程技術上，正在由客戶驗證 1Y 奈米製程的記憶體，而且未來還有 1Z、1α 及 1β 製程。

美光指出，記憶體跟處理器等羅技 IC 雖然都是半導體產品，生產製造過程有相似之處，不過製程技術並不相同。處理器的製程技術 2018 年已經進入到了 7 奈米的節點，但記憶體主流的還是 20 奈米、18 奈米等技術。其中，18 奈米就屬於 16 到 19 奈米之間的 1X 奈米節點，後面的 1Y 奈米則是 14 到 16 奈米之間，1Z 則大概是 12 到 14 奈米製程之間。再往下走，美光就提出的是 1α 及 1β 製程技術，而具體對應的製程技術是多少奈米就不明了。

就目前市場上來看，三星是第一家量產 18 奈米技術記憶體的廠商，也就是第一個進入 1X 奈米節點的記憶體公司，遙遙領先其他競爭對手。而美光方面，現在也開始向 1X 奈米技術轉進，下一代的 1Y 奈米技術則已經進入客戶驗證階段了，預計 2018 年下半年問世。再下去的 1Z 奈米技術節點目前正處於製程優化階段，而 1α 及 1β 製程則是在不同研發階段中。

對此，美光執行長 Sanjay Mehrotra 日前在參加公開會議上表示，在 EUV 光刻技術上，他認為 EUV 光刻機在 DRAM 晶片製造上不是必須的，未來可能到 1α 及 1β 製程技術時都還不見得會用到。不過，這樣的看法似乎與半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 的看法有些不同。因為，艾司摩爾之前曾經表示，在記憶體生產技術上，進入 1Y 奈米技術的節點時就需要考慮 EUV 技術了。只是，這樣的預測到目前實際上並沒有發生，因為包括三星在內的三大 DRAM 廠在內，目前都沒有很快進入 EUV 技術的打算。因此，即使未來記憶體的需求依舊強勁，但要以 EUV 技術來加大能量，短期內仍然還不容易見到。

(首圖來源:官網)