HBM4 成韓系記憶體下個戰場，三星自認有優勢奪回領先
人工智慧市場需求大增，HBM 供不應求，SK 海力士表示今明兩年 HBM 都預訂一空，一直希望追上 SK 海力士的三星，也傳出採雙軌開發 HBM 產品。
韓國媒體 THE ELEC 引用消息人士說法，三星新成立 HBM 團隊 3 月開始從工作小組轉為常設辦公室，專注 HBM4 開發。以 HBM4 為主原因，是採第六代 1c 製程 DRAM 晶片，可搭配 AI 晶片，需求量非常大。
三星 HBM3E 即將量產，是由現在 DRAM 團隊負責。工作小組轉成常設辦公室後驗證的確加速 HBM 開發，辦公室由記憶體業務主管 Lee Jung-base 領導，藉重組關鍵員工增強競爭力。
三星計畫 2025 年提供客戶 HBM4 樣品，2026 年量產。SK 海力士也計畫 2025 年底量產 12 層 DRAM 堆疊 HBM4，代表 SK 海力士量產時程還是比三星早。
三星 2019 年解散 HBM 團隊，為 SK 海力士以 HBM3 拿下巨大市占率打好基礎。消息人士指出，三星相信可用 HBM4 重新奪回領先，並比競爭對手產品更好。與 SK 海力士相比，三星 HBM 為熱壓縮非導電薄膜 (TC-NCF)，抗彎曲特性能製造更多層 DRAM 堆疊 HBM。
三星認為還有一個優勢，就是自家有晶圓代工。從 HBM4 開始，三星 HBM 最底層控制晶片都是自家晶圓代工，而 SK 海力士是與台積電簽署備忘錄。
(首圖來源：三星)