輝達驗證中！AI必備記憶體HBM3E是什麼，美光為何有信心爬上龍頭寶座？

記憶體大廠美光（Micron）於6日正式啟用台中四廠，除了整合先進封裝測試，未來也會領先全球量產AI所需要的高頻記憶體HBM3E。美光總裁暨執行長梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）指出，AI的應用讓記憶體內的數據量更大，記憶體將會比過去更為重要，而台灣也在其中扮演重要角色。

HBM指的是將DRAM像積木一樣層層堆疊，再透過先進封裝的方式包起來，使其密度增加、但體積維持不變甚至更小，以此達到更好的儲存效果。美光的技術是將好幾片片晶圓做堆疊，利用金屬圓球（ubump）和每一層矽穿孔內的銅導物質來做連接，就像漢堡上的牙籤，把矽晶圓一層一層地叉住，最後再做封裝。

其中，矽穿孔約為紅血球的一半大，金屬圓球也相當於白血球大小。而美光已可做到8層DRAM堆疊的高頻寬HBM，厚度僅為人類頭髮的一半，頻寬可達24GB。在AI和機器學習（ML）的帶動下，美光預期至2025年HBM年複合成長率將成長50%。

台灣則是美光HBM3E產品的首發量產地，預期2024年Q1就會量產，但還不確定何時出貨。法人指出，當前美光的HBM3E正在接受輝達（NVIDIA）的驗證。

美光副總裁暨先進封裝主管辛赫（Akshay Singh）指出，他認為HBM會將美光推至記憶體的龍頭地位，不過當前輝達AI晶片中的HBM絕大部分是由對手SK海力士（SK Hynix）提供，辛赫也對此提出為何美光深具信心的三個原因。

美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）

首先，美光HBM3E是由1-beta製程技術製造，為領先三星和SK海力士的最先進製程；其次，辛赫表示美光在先進封裝上居於領導地位，「我們有最先進的TSV穿孔技術，也有緊密的互聯技術。」第三，美光的矽穿孔的穿孔間距是最小的，有助於散熱，「我們認為這可以讓產品有更好的表現。」

美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡蘭（Naga Chandrasekaran）表示，HBM主要是在美國設計研發，日本廣島進行矽晶片的研發然後台灣則著重於後段3D封裝部分。陳德拉斯卡蘭表示，這樣的做法主要是為善用全球人才。

針對美光台灣人才是否恢復招募，台灣美光董事長盧東暉表示，今年3月開始就已經沒有進一步的裁員計劃，當年庫存調整週期也已進入尾聲，正逐漸恢復當中。盧東暉亦表示，未來隨著HBM產能擴充，會再考慮擴充。

責任編輯：林美欣

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