繼 DRAM及 HBM 後，三星 NAND Flash 也受 SK 海力士威脅
記憶體大廠 SK 海力士宣布推出首款 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品，直接威脅競爭對手三星電子地位。三星不但高頻寬記憶體（HBM）和 DRAM 被超越，NAND Flash 堆疊層數競爭也失去領先地位，劣勢蔓延至各記憶體產品。
SK 海力士日前宣布量產堆疊層數 321 層 1Tb TLC NAND Flash，業界最高堆疊層數產品為 200 層內，SK 海力士成為第一家成功量產 300 層堆疊以上 NAND Flash 公司，更站上領先地位。
官方資料顯示，SK 海力士 321 層堆疊 TLC NAND Flash，資料傳輸速度比上代產品快 12%，讀取效能提高 13%，資料讀取功耗效率也提升 10% 以上。SK 海力士以 321 層堆疊 NAND Flash 積極應付低功耗、高性能 AI 市場，並逐步擴大應用範圍。
BusinessKorea 報導，SK 海力士 300 層堆疊 NAND Flash 取得領先，引起三星更大危機感，首先開發垂直堆疊 NAND Flash 產品的正是三星。熟知三星的人士表示，上代產品三星最初開發階段取得領先，但 SK 海力士顯著進步，使三星拓展業務更困難。
與 DRAM 相比，NAND Flash 一直處於 AI 熱潮之外，但最近發生變化，資料中心支援 AI 運算快速高效能固態硬碟（SSD）需求激增，尤其企業級 SSD（eSSD）表現與 HBM 需求類似，SK 海力士從 AI 帶動 NAND Flash 熱潮受惠最多。統計第三季 SK 海力士 eSSD 銷量較前一年同期增加 430%，佔 SSD 總銷量 60%。
SK 海力士正加速擴大以 eSSD 為中心的 NAND Flash 競爭力，SK 集團董事長 Chey Tae-won 出任 SK 海力士子公司 Solidigm 董事長。Solidigm 是業界唯一有量產 QLC NAND Flash 技術的公司，eSSD 供應處於領先。QLC 容量高效，非常適合大容量 AI 資料中心 eSSD，AI 資料中心比 PC 和手機需要更高容量和更快儲存設備。與傳統 HDD 相比，eSSD 有性能優勢，加上 QLC 產品有更高容量和成本競爭力，使產品受 AI 資料中心重視。
對三星來說，NAND Flash 是必須保護的最後一道防線。三星一直是記憶體產業老大，但 AI 使格局變化，HBM 和 DRAM 連續面臨 SK 海力士挑戰。市場人士表示，如果三星讓 SK 海力士 NAND Flash 追上，對三星是三重打擊。儘管三星銷售占比仍勢不可擋，但 SK 海力士不斷增長 eSSD 強勁表現，差距有望迅速縮小，對三星構成強大威脅。
(首圖來源：SK 海力士)