記憶體缺貨潮恐延至2027年？三大巨頭擴產仍難填補缺口
商傳媒｜記者責任編輯／綜合外電報導
全球半導體產業正迎來前所未有的結構性轉變，《華南早報》引述多方分析報導，儘管全球記憶體三大龍頭：三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron Technology）已相繼啟動大規模擴產計畫；但受限於AI基礎建設對高頻寬記憶體（HBM）的強烈需求排擠，通用型記憶體（General-purpose Memory）的供給短缺恐持續延燒至2027年。
美光斥資18億美元併購力積電廠房 2027年投產
為了緩解日益嚴峻的供給壓力，美光科技於上週宣布，將斥資18億美元（約新台幣580億元）收購台灣晶圓代工廠力積電（PSMC）旗下的部分廠房；此交易預計在2026年第二季完成交割。美光全球營運執行副總裁班夏（Manish Bhatia）表示，這項併購案將使美光在市場需求遠超供給的環境下，能更有效地服務客戶。
根據市場研調機構 TrendForce 的數據顯示，該廠房預計於2027年開始量產先進的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片；初步估計，第一階段營運將為美光貢獻超過10%的全球總產能（以2026年第四季產能為基準）。此外，美光上週也在美國紐約舉行投資千億美元的HBM新廠破土典禮，班夏在典禮現場坦言，當前全球記憶體短缺的程度可謂是「史無前例」。
資源傾斜AI應用 通用型DRAM價格持續看漲
報導指出，這波記憶體荒的核心原因在於「產能排擠」，由於AI資料中心對高利潤的HBM晶片需求爆發，主要製造商紛紛將生產重心轉向AI應用，導致傳統電腦、伺服器與消費性電子所需的通用型DRAM供給銳減；這種結構性的供需失衡，自去年底起便引發DRAM價格大幅飆升。
面對市場缺口，亞洲兩大記憶體巨頭也正加速追趕：
- 三星電子： 計劃擴大次世代 1C製程 DRAM 的生產量，目標是在2026年底前達到每月20萬片的晶圓產能，這約佔其目前總產量的三分之一。
- SK海力士： 已宣布投資19兆韓元（約129億美元）建設全新的先進晶片封裝工廠，預計於2027年底完工，全力衝刺AI相關布局。
擴產緩不濟急 分析師預警：2027年前難見曙光
儘管各大廠動作頻頻，但分析機構多抱持謹慎態度。浙商證券（Zheshang Securities）發布報告指出，即便各廠在2026至2027年間有擴產計畫，仍不足以填補龐大的全球供給缺口；牛津經濟研究院（Oxford Economics）在1月16日的報告中更直言：「雖然記憶體大廠正投入重金擴充產能，但一座新工廠從建廠到正式投產至少需要數年時間。」
與此同時，中國記憶體龍頭長鑫存儲（CXMT）母公司也正計畫在上海IPO籌資約295億人民幣（約42億美元），用於技術研發與產能擴張；然而，根據招商證券報告，相關半導體設備預計要到2027年才能完全到位，這意味短期內通用型記憶體的短缺僵局依然難解。
在全球科技產業持續向AI靠攏的背景下，記憶體已不再僅是零組件，而是成為戰略物資，對於下游OEM廠商而言，未來兩年如何在高價與短缺的雙重壓力下穩定供應鏈，將是生存的關鍵考驗。