記憶體戰局大洗牌、美光傳市占恐「歸零」？外媒：通用型DRAM產品需求仍強
隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
根據《Wccftech》報導，隨著輝達 (NVDA-US) Vera Rubin 架構與超微半導體 (AMD-US) Instinct MI400 系列加速器陸續導入 HBM4，主要晶片製造商已全面轉向這項整合邏輯與記憶體於單一封裝的先進設計，以追求更高效能。
不過，從產業角度來看，原本由 SK 海力士、美光與三星分食的 HBM 市場版圖，未來勢必出現明顯變化。
有報導指出，在 HBM4 世代中，韓國記憶體供應商的採用度將顯著提升，反觀美光，其市占甚至傳出可能在此一世代跌至「0%」。
由於 SemiAnalysis 指出，美光的 HBM4 產品未能被納入輝達 Rubin 平台，使美光在 HBM 領域的未來充滿不確定性。
不過，報導分析指出，美光之所以「暫時」退出 HBM4 競賽，主要原因在於其內部設計的 HBM4 基礎晶片在客戶驗證、引腳速度表現，以及代工廠邏輯製程精度等方面遭遇瓶頸。
為了降低成本並強化供應鏈掌控，美光選擇自行設計 DRAM 與基礎晶片，採取垂直整合策略。
相較之下，三星擁有自家邏輯晶圓廠，而 SK 海力士則與台積電 (2330-TW) 等先進代工夥伴合作。美光的策略雖具長期優勢，卻也承擔更高風險。
由於不願意在基礎晶片上轉進更先進的製程節點，美光因此面臨散熱方面的挑戰，更關鍵的是，其引腳速度表現也明顯落後於競爭對手。
市場消息指出，美光正重新設計基礎晶片，並調整 PDN 與 PHY 架構，目標在 2026 年第二季通過輝達的 HBM4 資格認證。不過，在 Vera Rubin 已進入全面量產的情況下，三星與 SK 海力士已率先取得優勢。
在此背景下，市場才會普遍認為 HBM 市場的記憶體廠商市占將出現變動；儘管各方預估數字不一，但可以確定的是，美光的影響力勢將下滑，為三星擴大市占騰出空間。
與此同時，業界普遍認為，SK 海力士將成為輝達 Vera Rubin 導入 HBM4 的最大受益者，預期在此一世代的市占率可望突破 50%。
另一方面，三星則因率先達成輝達對 HBM4 所要求的引腳速度規格，被估計可取得約 20% 至 30% 的市場，實際占比仍將視美光後續驗證進度而定。
值得注意的是，儘管美光在 HBM 領域的市占可能下滑，但其通用型 DRAM 產品需求依舊強勁，尤其在 SOCAMM 導入趨勢下，仍可望持續受惠。
考慮到三星在 HBM3 世代曾出現進度落後的情況，如今卻能在 HBM4 階段重返主流市場，格外引人關注；相較之下，美光似乎將成為 HBM4 這場由 Vera Rubin 與 MI400 系列主導的盛會中的「遲到者」。