蔡司半導體部門負責人：中國要研發出西方水準EUV至少還要15年
德國光學大廠蔡司 （Carl Zeiss）半導體部門負責人 Frank Rohmund 表示，中國在最尖端晶片製造裝置研發方面，大約落後西方 15 年。UBS 分析師團隊本周亦發表報告，推斷中國至少要 10 年後，才有可能自行開發出可取代艾斯摩爾ASML目前的最頂級極紫光光刻機（EUV）技術的方案。
德國蔡司（Carl Zeiss）半導體製造技術部門負責人 Frank Rohmund 接受彭博電視訪問時談及全球晶片設備格局、美中科技戰以及中國自研微影（光刻）設備的進展發表了評估。
中國DUV開發成功，蔡司半導體主管並不會感到意外
針對近期市場與外媒傳出中國在浸潤式深紫外光（Immersion DUV）光刻機上取得實質進展、甚至已有上海廠商開始試產的消息，Rohmund 表示「並不感到意外」。他指出，中國政府早已投入該技術研發數十年之久，出現突破是合乎邏輯的。
Rohmund 強調，重點在於「實際量產能力究竟如何」（例如良率、穩定度與精細度仍待驗證），但他強調，就整體尖端製程光刻技術而言，「西方目前仍遙遙領先」。
Frank Rohmund表示，即便中國的實際進展很難直接精確量化，但他認為「中國可能需要約 15 年才能研發出 EUV（極紫外光）微影設備」是一個合理的假設。
中國EUV的水準只到ASML在2004年的水準
在該採訪同期的瑞銀（UBS）分析報告中，分析師比對中國專利與子系統成熟度後指出，中國目前的 EUV 技術狀態大約相當於 ASML 在 2004 年（即 ASML 成功商業化量產 EUV 前約 15 年）的水平。即使中國傾國家之力全力投入，要補齊完整的基礎光學與材料供應鏈，仍需跨越極長時間跨度的技術障礙。
「我們仍然遙遙領先」他表示蔡司是ASML EUV 機台光學元件獨家供應商，蔡司零組件被應用於全球約 80％ 的晶片生產中，且蔡司與 ASML 建立了長達 15 年（推進至 2040 年前後）的技術研發藍圖。
ASML現時最先進 EUV 機台造價逾 2 億美元（約港幣 15.6 億元），浸潤式 DUV 機台則約 9,000 萬美元（約港幣 7.02 億元）。分析普遍認為，中國要在最尖端晶片製造領域完全追上西方仍需一段長時間，但在較成熟技術上收窄差距的速度，可能比市場預期為快。