世界先進與台積電簽署GaN製程技術授權，協助加速新一代電源元件開發

【財訊快報／記者李純君報導】世界先進(5347)今(28)日宣布，已與台積電(2330)簽署高壓(650V)與低壓(80V)氮化鎵(GaN)製程技術的授權協議。此授權協議將協助世界先進加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，應用於資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。透過此次授權，世界先進將擴展其矽基底功率氮化鎵(GaN-on-Si)製程至高壓應用領域，並提供完整的GaN-on-Si平台，結合原有的新基底功率氮化鎵(GaN-on-QST)製程平台，世界先進將成為全球唯一能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務公司，可支援自低壓(小於200V)、高壓(650V)乃至超高壓(1200V)的完整產品解決方案，進一步強化世界先進在高效率電能轉換領域的技術布局。　
隨著傳統矽基製程逐漸達其效能極限，氮化鎵以其高效率、高功率密度與小型化特性，已成為新一代電源技術的關鍵材料。世界先進正積極建構涵蓋自15V至1200V的氮化鎵製程技術，為客戶提供更靈活且具競爭力的選擇。透過本次技術授權，世界先進將精準打造一個能與現有製程平台無縫接軌的氮化鎵製程平台，並將於公司成熟的八吋晶圓生產平台上進行驗證，以確保製程穩定性與高良率。相關開發作業預計於2026年初啟動，並於2028年上半年量產。
世界先進總經理尉濟時表示：「此次技術授權不僅展現世界先進與台積電持續交流與合作的成果，更象徵我們持續致力於推動完整氮化鎵產品解決方案，並強化在化合物半導體領域的策略布局。透過本次技術授權，我們將加速協助客戶滿足其對高效能電能轉換應用領域的需求，推動半導體電源技術邁向新世代，實現綠色能源與智慧應用的未來。」

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