長鑫4F²突破震撼記憶體業，高密度熱管理成供給擴張關鍵

中國長鑫存儲(CXMT)宣布4F²記憶體單元架構取得進展，牽動市場對DRAM競爭格局的評價。不過，技術展示能否轉成新增供給，仍取決於散熱、良率與量產爬坡，短期供需吃緊尚不能據此認定反轉。

據日經亞洲報導，長鑫計畫年底前推出採用該技術的DDR5 RDIMM伺服器模組。4F²架構可在相同晶片面積容納更多記憶體單元，相較主流6F²結構，有機會提高每片晶圓產出位元數、降低單位成本，並加速切入資料中心市場。

Counterpoint資料顯示，長鑫第二季全球DRAM市占率已達10%，三星電子(005930-KR)、SK海力士(000660-KR)與美光(MU-US)分別為38%、25%及24%。新架構消息使市場重新衡量三大廠的技術領先與定價能力。