台積電二度調高今年營收成長目標 魏哲家：晶片需求非常大
全球晶圓代工龍頭台積電今（16）天召開法說會，台積電董事長暨總裁魏哲家表示，人工智慧（AI）相關需求強勁，客戶及客戶的客戶釋出強烈訊號和正面展望，預期今年美元營收年成長率可望微幅超過40%。公司在美國追加1000億美元投資已有內部規畫，但實際時程仍將依市場狀況與客戶需求調整。台積電正加速推進美國投資，也同步加快台灣及日本晶圓廠建設，以縮小目前龐大的供需缺口。
魏哲家坦言，零組件價格上漲及總體經濟不確定性可能為價格敏感的消費性電子產品市場帶來挑戰；不過AI需求強勁，台積電今年美元營收年成長率可望微幅超過40%。台積電於4月法說會將全年美元營收成長目標調高至超越30%，這次再調升至微幅超過40%，第2度調升營運成長目標。台積電財務長黃仁昭預期，第3季營收將達446億至458億美元，以中間值計將季增12%；毛利率將約65%至67%，營業利益率約56%至58%。
在共封裝光學（CPO）布局方面，魏哲家透露，台積電COUPE平台已開始生產，未來將逐步放量。隨著AI資料中心持續降低功耗並提升資料傳輸頻寬，預期CPO需求將持續成長，並在未來數年成為重要技術。至於GPU、CPU及XPU等AI晶片需求，魏哲家指出，相關產品多數由台積電生產，並採用相近的先進製程技術。
魏哲家續指，公司正與客戶協調晶圓與供應分配，平衡不同AI晶片的產能需求，預期未來幾年營運仍將維持強勁，推動資本支出增加的主要因素都與AI相關。先進封裝方面，目前主流仍為CoWoS，台積電也持續開發替代方案以降低成本，並與基板供應商合作。針對玻璃基板等新技術，公司正在建置試產線，預估仍需約一年才能逐步成熟，之後可望與客戶共同投入生產。
針對高數值孔徑極紫外光微影設備（High-NA EUV）的導入，魏哲家提到，High-NA EUV是一項效能優異的工具，但曝光場尺寸僅為現行設備的一半。台積電將綜合評估技術成熟度、製造成本及量產效益，並持續與荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）合作，使相關技術更適合大規模生產，台積電對於High-NA EUV的了解一定比其他廠商更深。
市場關注先進製程需求是否超出供給幅度，魏哲家未提供具體數字，但重申需求缺口「非常大」。資本支出方面，台積電仍將先進封裝、測試、光罩及其他項目合併計算，比重維持約10%至20%。魏哲家說明，公司會依前段、後段的實際瓶頸彈性配置資金，部分客戶產品需要大量測試設備，甚至出現測試機短缺，因此難以進一步拆分各項支出。
台積電已將今年資本支出由年初的520億至560億美元，上修至600億至640億美元。魏哲家解釋，主要原因是客戶需求持續增加，並積極要求台積電擴充產能；另一項因素則是通膨推升設備採購成本。成熟製程方面，目前短缺主要集中於AI相關應用，包括AI資料中心大量使用的電源管理晶片（PMIC）及感測器，涉及40奈米、28奈米等製程。其他消費性電子應用需求仍不強，並未出現全面性短缺。