美光DDR5記憶體現可支援第4代AMD EPYC處理器
美光科技宣佈為資料中心所打造的 DDR5 記憶體現已上市，並可支援已為全新 AMD EPYC 9004 系列處理器進行驗證的資料中心。
美光科技宣佈為資料中心所打造的 DDR5 記憶體現已上市，並可支援已為全新 AMD EPYC 9004 系列處理器進行驗證的資料中心。
隨著現代伺服器將更多處理核心裝入 CPU，每個 CPU 核心的記憶體頻寬不斷減少。美光 DDR5 提供比前幾代更高的頻寬，提升可靠性及擴展性，進而緩解效能瓶頸。第 4 代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的組合在 STREAM 測試基準上提供高達 2 倍的記憶體頻寬，並在特定 HPC 工作負載上實現高達 2 倍的性能提升，如計算流體力學（OpenFOAM）、天氣研究和預報（WRF）建模及 CP2K 分子動力學。
以 STREAM 測試為基準，搭載美光4800 MT/s DDR5的第 4 代 AMD EPYC 處理器系統可達到每個插槽 378 GB/s 的峰值記憶體頻寬，與搭載美光 3200 MT/s DDR4 的第 3 代 AMD EPYC 處理器系統的峰值記憶體頻寬189 GB/s相比，可帶來足足一倍的系統記憶體頻寬成長。
美光也與 AMD 合作，在搭載美光 DDR4 的第 3 代 AMD EPYC 處理器及搭載美光 DDR5 的第 4代 AMD EPYC 處理器上針對三種 HPC 工作負載（OpenFOAM、WRF 和 CP2K）進行評估，並發現搭載美光 DDR5 的第 4 代 AMD EPYC 處理器平台可使 OpenFOAM 的性能提升 2.4 倍、使 WRF 性能提升 2.1 倍，使 CP2K 提升 2.03 倍。
美光在 JEDEC 制定 DDR5 記憶體規格的過程中扮演舉足輕重的角色，且為首批向客戶提供 DDR5 樣品的公司之一。美光的技術應用支援計畫（TEP）亦為業界首創，該計畫使系統設計者能夠提前取得關鍵的內部資源，並能進一步執行 DDR5 驗證及認證程序。