AI記憶體缺貨延燒至2026年後，美光示警HBM等供給追不上需求

【財訊快報／陳孟朔】外電報導，美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology，美股代碼MU)週一表示，人工智慧(AI)算力建設持續吞噬高階記憶體供給，HBM、DRAM與NAND的供應吃緊局面預料將延續至2026年以後，並非短期庫存循環即可化解。美光管理層在摩根大通年度科技、媒體暨通訊大會上指出，AI需求增幅仍高於公司及整體產業供給能力，記憶體市場正進入一段由結構性短缺支撐的多年景氣循環。美光指出，這波供給瓶頸不只來自產能不足，更與技術轉換難度升高有關。隨著新世代製程節點帶來的位元成長效益趨緩，加上HBM堆疊層數增加、晶粒尺寸擴大，單片晶圓可產出的有效晶片數下降，供給彈性隨之收窄；另一方面，極紫外光 (EUV) 微影技術導入先進DRAM製程，也需要經歷良率提升與產能爬坡期，使業者即使加速擴產，也難以迅速填補AI伺服器衍生的需求缺口。
在產品布局方面，美光正加速推進1-gamma DRAM與HBM4量產，公司預期1-gamma將成為歷來產量最大的DRAM節點，而HBM4量產爬坡速度約為上一代HBM3E 12-High的兩倍。下一代HBM4E則規劃於2027年啟動量產爬坡，首波產品將結合1-gamma DRAM與先進邏輯晶粒方案，進一步搶攻AI加速器所需的高頻寬、高容量記憶體商機。美光5月12日亦宣布，已向主要伺服器生態系夥伴送樣採用1-gamma DRAM的256GB DDR5伺服器記憶體模組。除HBM外，AI推理工作負載擴張與上下文視窗放大，也正在推升高容量固態硬碟 (SSD) 需求，讓NAND供應同步受到牽動。

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