華為AI晶片效能不及輝達 中國轉向「以量取勝」刺激記憶體需求

商傳媒｜何映辰／台北報導

美國對中國的晶片出口管制持續，促使中國加速晶片自主化。外媒報導，由於無法取得輝達（Nvidia）晶片，中國科技公司轉向採用華為的AI晶片，但因華為晶片效能不如輝達，需要增加使用量來達到相同運算效能，這反而帶動了對記憶體晶片的需求。

《亞洲經濟》報導，輝達近期將原先預定由台積電（TSMC）生產、出口至中國的「H200」晶片產線，轉為生產下一代「Vera Rubin」晶片。此舉被解讀為降低不確定性，並專注於需求穩健產品的策略，原因是美國政府對H200晶片出口至中國的批准程序延遲。

業界分析師認為，此趨勢可能使記憶體半導體公司受益。若中國主要科技公司從輝達晶片轉向華為晶片，將需要使用更多晶片才能達到同等運算效能，進而推升對DRAM和高頻寬記憶體（HBM）晶片的需求。華為的AI加速器「昇騰910C」（Ascend 910C）據稱效能約為輝達H100的60-70%。據估計，大約需要1.5到2個華為GPU才能達到單個輝達GPU的運算能力。隨著阿里巴巴和騰訊等中國主要科技公司開始採用華為昇騰系列作為輝達的替代方案，華為在中國AI伺服器晶片市場的市佔率在去年已接近40%。

iM Securities的研究員宋明燮（Myungseop Song）指出，中國企業正透過連接更多華為GPU來彌補個別晶片效能的不足，因此，對系統主記憶體（DDR5）和HBM的需求正在迅速增加。美國對中國的出口限制，正成為韓國記憶體半導體產業的主要利多。

不過，由於美國於2019年對中國實施半導體出口管制後，韓國晶片製造商已正式停止與華為的交易，因此直接效益可能有限。儘管去年底彭博等外國媒體證實，部分華為昇騰910C晶片配備了三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix）的HBM2E（第三代）記憶體，但據信中國企業是透過第三國經銷商以間接管道取得。HBM2E採用第二代10奈米（1y）製程技術製造，雖然良率穩定，但現在被認為是過時產品，如今已很少生產。

一位業界人士表示，即使美國總統川普（Donald Trump）和中國國家主席習近平於本月稍晚舉行的會晤，導致半導體出口限制部分放寬，中國企業仍難以確保最新HBM晶片的供應。相較於直接銷售，台灣企業更有可能因中國推動技術自主化而帶動的記憶體晶片價格上漲中，間接受益。

市場研究公司TrendForce預測，今年第一季通用DRAM價格將季增90-95%，包括通用DRAM和HBM在內的平均價格將上漲80-85%。