汎銓攜手國研院國儀中心發展「類FAB產線驗證技術」
AI晶片研發分析平台汎銓科技股份有限公司（6830）於27日宣布，攜手國家實驗研究院國家儀器科技研究中心（以下簡稱「國研院國儀中心」），共同推進「類FAB（Fab-like）產線驗證技術」，進一步將既有材料分析能力向前延伸至製程模擬與生產驗證環節。透過整合低溫至高溫原子層沉積（ALD）、類FAB產線驗證與先進材料分析技術，汎銓建立從製程模擬、生產驗證、樣品製備、材料分析到結果驗證的完整服務鏈，正式由傳統分析服務跨入量產前製程驗證領域，為先進製程與先進封裝客戶打造「生產＋驗證分析一條龍」服務模式。
汎銓表示，隨半導體製程持續微縮，極紫外光微影(EUV)、高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)、新材料與先進封裝等技術加速導入，客戶在新製程進入量產前所需的驗證項目與複雜度同步提升，單純在製程完成後進行材料分析，已難以完全滿足研發端對速度與精準度的需求。此次類FAB產線驗證技術的導入，可在接近實際產線條件下，先行模擬關鍵製程並觀察材料反應，再銜接後續結構與材料分析，有助客戶提前發現製程問題、縮短研發驗證循環，並降低正式進入晶圓廠試產後反覆調整的時間與成本，進一步提升新材料與新製程的量產導入效率。
汎銓長期投入先進製程分析技術開發，在EUV相關分析領域累積多項成果。其中，汎銓發展的「低溫原子層沉積(Low-Temperature ALD)覆蓋分析技術」，能在低溫條件下於金屬氧化物光阻劑(Metal Oxide Resist, MOR)表面形成均勻且緻密的奈米級保護層，避免光阻在分析過程中受熱損傷或結構變形，確保分析結果貼近真實狀態，並已建立相關技術專利。此成果獲全球極紫外光微影設備龍頭艾司摩爾(ASML)於國際光電工程學會(SPIE)國際學術論壇發表「高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)」微影製程技術時引用，展現此技術的創新突破與國際指標性，為先進半導體製程分析技術樹立重要里程碑。
汎銓去年進一步精進技術，借助國研院國儀中心「先進半導體材料分析技術研發平台」的資源與能量，開始發展類FAB產線驗證技術。旗下ALD技術能力也由低溫應用進一步延伸至高溫製程，可依不同材料特性及客戶驗證需求彈性調整條件，擴大可服務的先進製程場景，透過類FAB環境進行生產模擬，搭配穿透式電子顯微鏡(TEM)等先進結構分析能力，可更完整掌握奈米尺度下的材料結構與製程變化，讓分析結果不再只是單點數據，而能與實際製程條件連動，提高研發驗證效率。
汎銓指出，未來先進製程與先進封裝開發節奏將持續加快，客戶對第三方檢測分析服務的需求也將由單純「看結果」，進一步朝「協助驗證製程、提前發現問題、縮短量產導入時間」發展。尤其新材料、新結構與新製程導入初期，若能在接近實際產線的環境中完成前期模擬與驗證，有助降低後續進入正式晶圓廠試產的反覆調整成本，也能提升研發資源使用效率。
展望未來，汎銓將持續深化與國研院國儀中心的研發合作，結合涵蓋低溫至高溫的ALD技術、類FAB產線驗證能力及既有材料分析專業，持續擴充「製程模擬＋生產驗證＋材料分析」整合服務能量，以期藉由技術服務鏈向前延伸，不僅提高與先進製程客戶的合作深度，也進一步切入新材料、新製程及先進封裝前期研發驗證需求，強化在半導體研發服務市場的技術門檻與競爭優勢，為中長期營運拓展更多高附加價值成長機會。