長鑫存儲4F² DRAM技術突破，真能超車三星、SK海力士？量產良率成最大考驗

中國記憶體製造商長鑫存儲CXMT(688825-CN)宣稱在新一代4F² DRAM架構取得重大進展，計畫於2026年底推出採用該技術的伺服器DDR5記憶體模組，引發市場對全球DRAM競爭格局可能改變的擔憂。不過，晨星（Morningstar）分析師提醒，技術突破不代表能立即實現商業化量產，從產品展示到達到具備經濟效益的量產良率，仍可能需要相當長的時間。

所謂4F²，是衡量DRAM記憶體單元面積的技術指標。相較目前主流的6F²架構，4F²可將單元面積縮小約33%，使相同面積理論上能容納的記憶體單元增加50%。這不僅有助於提高記憶體儲存密度，也意味著在相同容量規格下，單片晶圓有機會生產更多晶片，進而降低單位製造成本。不過，實際產出仍取決於製程良率與量產技術成熟度。

長鑫存儲採用垂直環繞閘極（Vertical Surrounded Gate，VSG）電晶體技術，將傳統平面配置的電晶體通道改為垂直結構，並透過閘極包覆通道改善電流控制，以降低漏電與短通道效應。公司表示，目前已累積超過300項相關公開專利家族，並計畫將這項技術導入伺服器DDR5 RDIMM產品。

然而，隨著記憶體單元持續微縮，製程複雜度、漏電控制與良率管理難度也同步提高。晨星分析師指出，包括三星電子Samsung Electronics(005930-KR)、SK海力士SK Hynix(000660-KR)及設備供應商，都認為從6F²轉向4F²具有相當高的技術門檻。因此，即使長鑫存儲如期推出產品，仍須經過客戶驗證與量產良率改善，才能確認其實際成本競爭力。

儘管技術進展尚未獲得充分驗證，消息已引發記憶體股賣壓。10月13日南韓股市，三星電子下跌8%，SK海力士重挫約11%；美國美光科技Micron Technology(MU-US)則於10月12日下跌約4%，反映投資人開始重新評估記憶體業者的技術領先優勢與未來利潤率。

從產業競爭來看，長鑫存儲近年持續擴大一般型DRAM市占率。根據Counterpoint Research資料，2026年第2季長鑫存儲占全球DRAM市場營收約7%，排名全球第四。不過，在輝達Nvidia(NVDA-US)AI加速器使用的高頻寬記憶體（HBM）領域，長鑫存儲仍屬後進業者。此次4F²技術主要鎖定伺服器DDR5市場，尚不能直接視為已具備與全球主要廠商相同的HBM競爭能力。