長鑫新一代架構衝擊三大廠？ 分析師：短線影響有限

中國記憶體廠長鑫存儲發表新一代架構，預計年底推出新一代DDR5伺服器記憶體，市場憂心中國廠商加速追趕國際大廠。不過，分析師認為，長鑫新技術短期內尚不構成重大威脅，仍需觀察良率、客戶接受度，影響最快要到2028年才會浮現。近期記憶體類股走弱，主因反映市場擔憂報價漲幅放緩及AI資本支出前景。

長鑫存儲近日發布新一代DRAM架構，預計於今年底推出採用4F²技術的伺服器記憶體產品。4F²架構相較於傳統設計，可在相同面積內配置更多記憶體位元，提升晶片密度，並降低單位成本。

分析認為，長鑫本次瞄準DDR5市場，直接競爭對手為三星、SK海力士、美光三大記憶體廠。若長鑫存儲順利推進新技術，將縮小與國際大廠的技術差距，也可能對既有的技術及成本優勢形成挑戰，引發近期資本市場震盪。

分析師翁偉捷指出，雖然長鑫推出新一代技術架構，從目前三大記憶體廠商的技術與產能布局來看，仍需觀察良率、量產速度以及客戶認證等，短期不至於構成重大威脅。

翁偉捷認為，近期全球記憶體類股走弱，除了長鑫帶來的競爭隱憂，主要因科技股先前漲勢可觀，市場重新評估2027年記憶體價格漲幅放緩，包括AI所需的高頻寬記憶體(HBM)，DDR4、DDR5報價也出現鬆動。市場憂心AI資本支出放緩、記憶體報價已接近高點，進而引發賣壓。

他說：『(原音)這一次全球記憶體族群下跌，主要原因來自2027年記憶體價格漲幅放緩，進行重新定價跟反應。當然長鑫這件事會影響信心，但就技術上面來說，應該沒有那麼快，可能2028年之後影響到國際大廠。』

他分析，從技術發展進程來看，預期要到2028年後才會造成實質衝擊。後續觀察重點在於，這項技術是否影響HBM或是DRAM市場，目前距離實際量產及產能釋出仍有一段時間，相關影響尚未完全顯現。