韓國媒體示警記憶體熱潮大限將在2029年 馬斯克補一槍
隨著韓國記憶體大廠SK海力士股價跌跌不休，10月15日為止7天內累計崩跌31.5%，韓國財經媒體《每日財經新聞》（Maeil Business Newspaper）近日刊登的一篇專欄格外受到矚目，這篇文章預警：2029年記憶體晶片市場可能出現產能過剩，韓國記憶體大廠僅剩2至3年轉型期。
韓國經濟對三星電子與SK海力士的依賴程度日益加深。一旦記憶體晶片榮景時期結束，隨著新產能在2029年前後陸續投產，韓國經濟將面臨極高的脆弱性與風險。
韓國僅有2到3年的轉型時間
專欄作者警示，在產業週期可能發生逆轉之前，韓國僅有2到3年的時間，來培育與發展新的成長型產業，以降低對儲存晶片產業的依賴，並應對未來可能出現的產業周期下行。
專欄也警告，如果中國2028年記憶體的產量有所增長，晶片供應過剩的情況可能會提前一年出現，從而縮短韓國大廠實現業務多元化的時間。
巧合的是，美國特斯拉執行長馬斯克在社群媒體X發文，預警2028年，中國將「大量生產」隨機存取記憶體（Random Access Memory、RAM），這加劇投資人擔憂未來如果記憶體晶片供應過剩，將暴露韓國經濟過度依賴三星電子與SK海力士的弱點。
「中國將在2028年生產大量記憶體（RAM）。」馬斯克周四（10月15日）在X上發文回應P Equity Research對上述韓媒《每日財經新聞》專欄的評論。
這篇財經專欄文章警告稱，隨著新增產能的投產，可能導致2029年記憶體供應過剩，並指出韓國只有2到3年的時間來發展其他成長型產業，，降低對記憶體晶片產業的依賴，並為可能出現的週期性衰退做好準備，否則記憶體產業周期可能逆轉向下。
馬斯克連續3天提及記憶體
周四是馬斯克連續第三天發文提及記憶體，也是他第二次提到中國的產能。他此前曾表示：「一旦中國掌握某種產品的製造方法，其規模化生產的能力往往超過世界其他地區的總和。」
近年來，受惠於AI熱潮催生的先進記憶體如HBM暢旺需求，南韓半導體巨頭如三星電子與SK海力士創下驚人獲利，並帶動韓國的經濟成長、出口和財政收入。
然而，專家指出南韓的安全期可能只剩2到3年。如果無法在2028年前成功扶植出其他核心支柱產業，一旦2029年記憶體因產能過剩價格暴跌，南韓的經濟優勢將面臨迅速逆轉的系統性風險。
韓國政府報告稱，9月半導體出口額飆升263%，達到603億美元，幾乎佔創紀錄的1,209億美元出口總額的一半。因此，晶片價格未來的任何逆轉都可能影響韓國的出口收入。
長鑫存儲帶來巨大威脅
目前韓廠的最直接威脅來自中國同業，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）日前宣布將在2026年底前推出採用4F²架構技術的次世代伺服器級DDR5記憶體晶片。
雖然在美方出口管制下，中國難以取得極紫外光（EUV）等尖端製程晶片設備，但中企試圖透過改變電晶體結構的「繞道方式」，來提升晶片密度與產能。
外界預期長鑫存儲等中企在良率和量產成本上仍落後南韓2至3個世代，但此消息10月中旬傳來，仍引發韓股大震盪。
10月15日，三星跟海力士股價重挫，促使KOSPI於當地時間中午12點38分左右跌幅超過8%，觸發今年第10次熔斷，全市場暫停交易20分鐘，顯示市場極度擔憂中國全面衝擊傳統DRAM市場的速度，可能比預期更快。
不過，SK海力士執行長郭魯正在7月接受路透採訪時表示，2030年以後，需求可能超過供應。另外，研究調查機構Gartner預計2026年，全球記憶體市場規模將達到8,370億美元，佔全球半導體營收的54%，高於2025年的27%。Gartner預測，2027年，記憶體供應將持續緊張。