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HBM排名快洗牌?記憶體規格升級拖慢HBM4時程 三星可望搶先通過輝達驗證、搏2027翻身

鏡報

更新於 01月08日12:08 • 發布於 01月08日12:06 • 鏡報 吳筱雯
三星記憶體示意圖。(圖/鏡週刊)

輝達於2025年第三季調整最新AI運算平台Rubin的HBM4規格,加上輝達現有的Blackwell平台需求優於預期,市調機構TrendForce最新報告指出,兩項因素導致HBM4放量時間點延後,預期最快於2026年第一季底進入量產,而三星可望成為最快通過新規格驗證的HBM4供應商,並有機會在未來扭轉過去三星在輝達HBM的市佔頹勢。

TrendForce表示,輝達將Rubin平台HBM記憶體的Speed per Pin規格,拉高至高於11Gbps,三大HBM供應商因此必須修正設計,海力士、三星、美光皆已重新對輝達送樣HBM4產品,並持續調整設計,以回應更嚴格的規格要求。

TrendForce進一步指出,和競爭對手相比,三星的HBM4率先採用1Cnm製程,在base die更採用自家晶圓代工廠的先進製程,未來將能支援相對高速的傳輸規格,可望成為第一個通過驗證的供應商,在未來的供給佔有優勢,有機會扭轉過去三星在Blackwell、Hopper平台的市佔劣勢,Rubin高規格產品的供給占據優勢,至於海力士則因HBM合約已經談妥,預期在2026年的供應位元上仍占有絕對多數。

輝達產品策略改變,是另一項影響HBM4驗證進度的重要因素,TrendForce認為,2026年上半年Blackwell系列產品需求大幅成長,輝達上調上半年B300/GB300出貨目標、HBM3e訂單連帶上修,Rubin平台量產時程表也隨之調整,三大HBM供應商因此獲得額外調整HBM4產品的時間。依照目前驗證情形來看,預計各家HBM4量產的時間點最快將落於第一季底至第二季間。

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