〈力積電法說〉Q4營收估季增雙位數 明年成熟製程代工價格再漲10-20%
力積電(6770-TW)今(21)日召開法說，經營團隊表示，受惠記憶體供需持續吃緊、邏輯晶圓代工價格調漲，以及3D AI Foundry相關產品逐步恢復出貨，預期第四季營收可望季增雙位數；明年在AI需求動能不減下，對營收及獲利表現抱持期待，成熟製程代工價格規劃再調漲10%至20%，並積極與客戶協商長期供貨合約(LTA)，提前綁定明年價量。
力積電指出，全球DRAM市場仍處於供需失衡狀態，AI伺服器採用的高頻寬記憶體(HBM)持續消耗大廠先進製程產能，加上記憶體大廠逐步退出利基型DRAM市場，帶動相關代工需求及價格維持高檔。與美光合作的DRAM 1P製程進展順利，初版製程設計套件(PDK)預計年底前完成，相關機台將於2027年第一季前到位，第二季進入試產。
NAND Flash方面，隨三星、鎧俠逐步退出MLC NAND供應，市場短缺促使部分工控及消費電子廠商轉向SLC NAND，力積電已將SLC NAND代工平台轉向更具競爭力的24奈米製程，並與客戶合作開發MLC NAND產品，預計2026年底進入新產品NTO階段。此外，AI伺服器帶動大容量NOR Flash需求，目前市場供不應求，力積電也可望受惠相關代工需求。
邏輯代工方面，第三季8吋及12吋晶圓代工產能持續吃緊，針對非年度綁約客戶，部分投片價格較第二季調高10%至15%，平均價格調漲約8%至10%。公司指出，下半年晶圓廠產能普遍滿載，成熟製程2026年代工價格已全面調漲，2027年則規劃再漲10%至20%，目前正與客戶協商LTA及明年價量安排。
在AI相關應用方面，力積電的電源管理IC代工已由0.15微米製程切入55奈米BCD製程，相關產品應用於AI伺服器並開始放量，客戶要求簽訂三年長約以確保供貨；MOSFET及IGBT需求也持續吃緊，2027年近80%產能已與客戶簽訂LTA。
3D AI Foundry則是力積電另一項成長布局。公司表示，受銅鑼廠設備大規模停線移機影響，第三季晶圓對晶圓堆疊(WoW)及Interposer產出明顯下滑，相關營收同步減少。隨產線陸續移至新竹廠區並復線，加上積體被動元件(IPD)逐步放量，預期第四季起營收將逐漸恢復，2027年可望逐季上揚。
其中，Interposer預計年底回到滿載投片水位，WoW目前已小量投片試產，預計2027年上半年正式量產；IPD則因AI伺服器功耗提升，需求能見度已延伸至2028年，力積電明年將導入電容密度4500nF新品，應用涵蓋AI伺服器及光通訊模組。至於與美光合作的PWF，預計2026年底前完成試產線設置，2027年第四季進入量產，並可望於2028年成為3D AI Foundry新的成長動能。
力積電指出，由於無塵室空間已用盡，公司已針對台灣、新加坡及日本等地展開新廠調研，聚焦3D AI Foundry產能擴張，並與策略客戶評估共同投資的可行性，為2028年後的市場成長預作準備。
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