三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局
三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。
三星的這項創新專注於0a和0b類DRAM，這些新型記憶體有望顯著提升未來裝置的容量和性能。根據報導，這項技術仍處於研究階段，未來將應用於小於10奈米的DRAM產品。
在此次宣布中，三星介紹了其名為「高耐熱非晶氧化物半導體電晶體」的技術，該電晶體能承受高達攝氏550度的高溫，進而防止性能下降。這種垂直通道電晶體的通道長度為100奈米，並可與單片CoP DRAM架構集成。
在測試中，該電晶體的排水電流幾乎沒有衰退，並且在老化測試中表現良好。這個技術的推出，將使三星在高密度記憶體市場中更具競爭力，並可能在2026年及以後的裝置中首次亮相。
（首圖來源：三星電子）