中國半導體自主化加速：DRAM、先進製程資本支出大幅上修

高盛預估，中國半導體資本支出到2030年將達820億美元，較先前預估大幅上修79%；中國7奈米及更先進製程晶片的供應缺口，預估將從2025年的92%縮小至2035年的34%。

記憶體是這波自主化投資的重要環節。高盛預估，在產能擴張與良率改善帶動下，長鑫存儲CXMT到2028年將可供應中國約50%的DRAM需求，而中國DRAM市場至2028年的年均成長率預估達50%，主要受AI伺服器與高頻寬記憶體(HBM)需求推動。

摩根士丹利也看好長鑫存儲CXMT，預估2025年至2028年營收年複合成長率高達140%，全球DRAM 位元出貨量市占率則可能從2026年的11%提高至2030年的15%。

長鑫存儲CXMT近年全球市占率已明顯提升。以出貨量計算，CXMT市占率從一年前約3%快速升至8%，一年內增加超過一倍；2025年已成為全球第四大DRAM製造商，占全球出貨量約8%，2026年第1季進一步提高至約9%。