力積電看記憶體，DRAM下半年仍缺，NAND端將從SLC跨入MLC

【財訊快報／記者李純君報導】力積電(6770)為本土記憶體代工大廠，針對近期市場上對於記憶體產業的雜音提出看法，認為供給缺口仍會持續到2026年下半年。此外，與美光合作的1P製程已開始進入開發階段，2028年下半年進入量產。而就NAND端，力積電4月起NAND晶圓代工價也大漲，也將從SLC跨入MLC。NOR Flash代工部分，力積電自2025年第四季起開始放量，但漲價未如NAND明顯。首先，就記憶體產業雜音紛擾，力積電提到，近期雖因部分中小型DRAM業者有資金壓力而拋貨求現，以及Google Reserch發表TurboQuant演算法，聲稱能將LLM推理的DRAM減為1/6等雙重因素而導致DRAM市場出現若干雜音。然而，為應付AI持續擴大模型消耗Token的需求(eg:養龍蝦熱潮)，AI業者(Microsoft及Google等)近期與DRAM大廠簽訂3年長期合約，記憶體市場預期供給缺口仍會持續到2026年下半年。力積電DRAM代工價格已在3月大幅度調高，但因投片計價考慮cycle time影響，預計漲價自6月起開始對營收產生貢獻。
此外，與美光合作的1P製程，力積電強調，已開始進入開發階段，新機台預計2027第一季搬入，2028上半年完成試產，下半年進入量產。1P的晶圓顆粒數是現有主力製程平台的2.5倍，對未來DRAM產值增加將帶來明顯助益。
再者，NAND部分，力積電提到，韓系大廠淡出SLC NAND Flash 的市場，但網通、工控與消費性電子的需求並沒有減少，近期SLC NAND的合約價與現貨價因供給減少而出現明顯上漲。4月起力積電NAND晶圓代工投片價格也大幅調漲。除了SLC，也與客戶緊密合作開發24奈米MLC，預計年底前完成製程開發，2027上半年可供客戶Tape Out。而NOR Flash部分，力積電透露，客戶端驗證已有斬獲，在2025年第四季起開始放量；車規產品亦正在試產中，漲價未如NAND明顯。

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