三星平澤 P5 工廠第一期購買高達 70 套曝光設備，因應 HBM4 市場需求
韓國媒體報導，半導體大廠三星已被確認向 ASML 訂購了約 20 套用於 10 奈米以下先進製程的 EUV 曝光機。若連同訂購的 DUV 曝光機計算在內，此次曝光設備總訂購規模達到約 70 套。對此，三星電子表示至今尚未有相關決策。。
報導引用據多位半導體市場人士的說法指出，三星已向 ASML 及日本佳能（Canon）發出採購訂單，計畫為其平澤園區 P5工廠一期第一階段導入約 70 套曝光設備。其中，EUV 曝光機約 20 套，訂單金額預計超過 10 兆韓圜。這些設備將用於提升 DRAM 專用的 10 奈米級第六代 1c 製程的產能。隨著 1c 製程的生產效率提高，採用該製程技術所生產的 HBM4 產量也將隨之提升。
三星在 2026 年2月已達成 HBM4 的全球首產，並向全球最大 AI 半導體公司輝達供貨。HBM4 將搭載於輝達最新 Rubin 高性能 GPU 中。市場預計，將於 2026 年下半年正式推出的 Rubin 將供應給 Google、亞馬遜等美國科技大廠，並帶來超過 1 兆美元的市場規模。
與此同時，三星也在配合 Rubin 發表節奏，擴大華城 H3 工廠 17線，以及平澤 P3、P4 工廠的 HBM4 產能。隨著此次訂購的 EUV 設備從 ASML 陸續導入，三星的 DRAM 與 HBM4 產量預計將同步提升，進而進一步鞏固其在記憶體市場的領先地位。
本次訂購的曝光設備預計將配合 2027年 第一季建成的 P5 一期無塵室投入使用。考量到半導體設備運輸通常需要約一年時間，預計三星將在 2027 年第二季將包括 EUV 在內的曝光設備導入 P5 工廠無塵室。因此，其 1c 製程 DRAM 及 HBM4 產能有望大幅提升。
一位熟悉情況的市場人士指出，過去新建晶圓廠通常優先布局 NAND 快閃記憶體產線。但此次由於 HBM4 預期出貨量大增，使得三星決定優先擴建 DRAM 產線。預計從 2027 年第二季開始，EUV 曝光設備將陸續導入。
(首圖來源：三星)