公開末代 FinFET 製程細節，Intel 3 電晶體與性能各增 10% 與 18%
2024 IEEE VLSI 研討會，英特爾 (Intel) 介紹 Intel 3 節點細節。Intel 3 是英特爾最後一代 FinFET 節點，Intel 3 後轉入 Intel 20A 及 Intel 18A，並改用 GAA (環繞式閘極結構) RibbonFET。
英特爾強調，Intel 4 節點也有增加 EUV 步驟，Intel 3 是長期代工節點，為了滿足市場需求，Intel 3 節點還推出三個增強或特殊製程。
Intel 3-E 支援 1.2V 高電壓，適合模擬模組。Intel 3-PT 提升整體性能，支援更精細 9μm 間距矽穿孔 TSV 和混合鍵合，對應密度更高的 3D 堆疊，供人工智慧與高效能運算處理器用。最後一代 FinFET，Intel 3-PT 將成為主流選擇，與埃米級製程一起代工。
Intel 3 節點導入 210 奈米高密度函式庫，電晶體性能取向有更多可能。基礎 Intel 3 製程採高密度函式庫，較 Intel 4 提升最多 18% 運算性能。標準 Intel 3 電晶體密度也增加 10%，達全節點效能提升目標。
電晶體金屬佈線層部分，Intel 3 在 Intel 4 的 14＋2 層以外，增加 12＋2 和 19＋2 兩選項，針對低成本和高性能市場應用。Intel 3 每個金屬層的 M0 和 M1 等關鍵層與 Intel 4 間距相同，將 M2 和 M4 的間距從 45 奈米降至 42 奈米。
四年五節點目標部分，英特爾宣布完成 Intel 7 與 Intel 4，加上 Intel 3 節點量產，上半年推動 Intel 20A，下半年為 Intel 18A。
(首圖來源：英特爾)