記憶體股回檔非週期反轉！美銀：Meta賣算力≠砍單、韓廠擴產尚遠 DRAM與NAND漲價延續至明年
過去一週，全球記憶體股票經歷顯著拉回，市場迅速為跌勢找出 Meta 恐對外出售過剩算力代表資料中心建置過剩、蘋果評估納入長鑫存儲 DRAM、南韓政府公布大規模半導體計畫預示未來供給失控等三大原因。
市場找出的這些原因均指向「需求見頂、供給即將氾濫、超級週期尾聲」，但美銀近日出具最新研報《Global Memory Tech》解釋說：「上述風險遭市場高估，無論雲端資本開支、韓國半導體出口或 DRAM／NAND 合約價，皆未顯示記憶體週期已方向性反轉。」
報告認為，真正發生變化的，是記憶體行業在經歷大幅漲價與股價重估後，進入「基本面仍強、交易難度顯著上升、回歸獲利兌現與個股篩選」的新階段。
首先，Meta 對外賣算力不等於削減存儲訂單。市場擔憂 Meta 開放外部客戶使用自有資料中心，暗示先前 AI 伺服器採購過量。美銀引述產業鏈反饋指出，記憶體晶片廠與 NAND 控制器、封裝基板供應商反而觀察到 Meta 對 HBM、LPDDR5 及企業級 SSD 訂單持續增強。
Meta 對外提供算力更可能被解讀為資產變現與業務多元化 (朝雲端服務延伸)，而非處理嚴重過剩。Meta 最近也傳出砸下 100 億美元在加拿大興建美國以外最大資料中心，中長期擴產規劃未變，AI 基建資本開支方向未扭轉。
至於中國記憶體大廠長鑫存儲傳出打進蘋果供應鏈的報導，美銀認為這更像議價籌碼，蘋果短期內大規模採用陸廠機率低；一是美國針對中國半導體限制使供應鏈合規具不確定性，二是蘋果對行動 DRAM 要求 10Gbps 以上傳輸速率、約 1.1V 低功耗設計及 ECC 糾錯，長鑫 LPDDR5X 雖送樣但大規模穩定滿足尚需驗證，三是 DRAM 核心專利長年由三星、SK 海力士、美光壟斷，大規模採用面臨潛在侵權訴訟風險。
即便爭取 iPhone 18e 等入門機種訂單，考量該機型在中國銷量有限，實際採購量影響微弱。蘋果更可能將長鑫列為潛在合格供應商，做為今年下半年至明年議價時壓低合約價的籌碼，短期難改全球 DRAM 供需格局。
最後，南韓大規模擴產計畫不等於短期供給失控。首爾當局擬投入約 800 兆韓元於西南部建半導體叢集，市場解讀為週期頂部訊號。美銀反駁稱該計畫 2030 年代初前難形成大規模有效供給，現階段優先推進仍為龍仁與平澤擴建。跨十餘年的產業規劃不能直接等同未來 2-3 年供給失控，長期擴產值得追蹤，但非判斷本輪存儲週期見頂依據。
美銀近期對日本產業鏈的調研也顯示，業內管理層判斷較投資人謹慎情緒更偏正面，今年 Q2 記憶體的 ASP 表現強勁，尤其是 NAND 價格、Q3/Q4 ASP 料將高於 Q2、明年 DRAM 與 NAND 可能持續短缺、長期供貨協議增加但以採購量約定為主、資本開支與晶圓投片仍克制，這意味著廠商實際擴產與客戶鎖貨行為，尚未進入供給失控階段。
三星電子周二 (7 日) 公布今年 Q2 初步業績顯示，合併營收約 171 兆韓元，年增 129.3%、營業利益約 89.4 兆韓元，年增 1810%，營業利益高於市場共識約 8.6 兆韓元。
雖未拆分部門細項，但配合 Q2 DRAM/NAND 合約價上漲及半導體出口暴增，三星記憶體事業群被視為利潤躍升核心驅動，美銀先前「記憶體部門營業利益有望優於市場預期」之預測得到側向印證。
南韓半導體上月出口額達 448 億美元，月增 21%、年增 199%，連續第六個月三位數成長，約為 2025 年月均 140 億美元的三倍，出口額勁揚反映 ASP 快速提高，核心矛盾仍是漲價與供給偏緊，非庫存堆積或需求明顯萎縮。
根據美銀預估，今年 Q2 到 Q4 DRAM ASP 將分別季增 53%、17%、7%，漲幅隨基期墊高逐季放緩但方向未變，16Gb DDR5 現貨約 47 美元、16Gb DDR4 約 75 美元，均高於上輪週期高點，因大廠持續將晶圓產能轉向 HBM 與伺服器 DRAM，致使傳統 DDR4/DDR5 供給同步收縮，尤其 DDR4 因三星、SK 海力士與美光逐步退產出現結構性短缺，合約價升至 35-40 美元區間，技術溢價 (DDR5 貴於 DDR4) 幾近消失，反映舊製程退出快於客戶產品切換速度。
NAND flash 方面，美銀預期漲勢放緩，但絕對價格高檔，512Gb NAND 晶圓現貨 3 月觸頂後在 Q2 趨穩或微降，但今年來已走漲逾 50%，約為 2025 年 2 月低點 8 倍；合約價約 25 美元，為 2025 年 2 月低點 2.5 美元十倍。自去年 Q4 與今年 Q1 大漲後，NAND 合約 Q2 單月漲幅回落至 1-5%，顯示客戶對高價承受力接近極限、漲價回歸常態，非趨勢反轉。
伺服器記憶體則持續創高：64GB 伺服器 DRAM 模組 DDR5 約 1400 美元、DDR4 約 1100 美元創歷史高，DDR5 上月合約價格再漲、DDR4 持平，AI 伺服器與資料中心高端記憶體需求無鬆動跡象。
亞馬遜、微軟、Alphabet、Meta 四大超大規模雲端業者 (Hyperscalers) 為記憶體新增需求核心來源。
根據美銀預估，上述四家 2026 年合計資本支出約 7000 億美元，年增率約 80%，明後兩年逼近 1 兆美元，未見明顯下修跡象，四家營收同期整體可望成長 15-20%，雲端業務營收增速 35-40%(AWS 營益率> 35%、Azure>40%、Google Cloud 30-35%），只要雲端業務高利潤率持續，巨頭即有動機續擴 AI 基礎建設，並轉化為更多 HBM、伺服器 DRAM、企業級 SSD 需求。
不同於歷史典型由 PC / 手機補庫存驅動的週期，本輪需求結構更複雜，HBM、伺服器 DRAM、企業級 SSD、AI 推理基礎設施、超大規模雲端業者資本支出，疊加 DDR4 產能退出造成的結構性短缺，這意味著光是觀察 PC / 手機出貨已不足以判斷全週期，即使部分消費電子需求因漲價承壓，AI 伺服器仍可續吸高階產能使整體供給偏緊。
但內部分化加劇：HBM / 伺服器 DRAM/Enterprise SSD 與先進封裝相關續受惠，過度依賴消費級 NAND 與手機 DRAM 廠商較快感受需求彈性下降。
2026 年以來，SanDisk、鎧俠漲幅一度逾 800%，DRAM 廠亦顯著上揚。高價格＋高預期＋高漲幅同時出現後，任何訂單 / 資本支出 / 供給 / 議價雜音皆可觸發劇烈波動。
美銀總結指出，基本面仍偏多，但股價已過了「閉眼買入」階段，後續表現更依賴三要素，分別是記憶體價格能否維持推升盈利上修、實際利潤增速消化估值擴張、新增資本支出是否克制避免長期供給預期惡化。過去一周回檔未必是週期見頂，更可能是市場嘗試替「下一階段重新定價」。
美銀認為，Meta 賣算力、長鑫存儲闖入「果鏈」、韓廠長期擴產皆非可忽視風險，但至少當前數據未推翻超大規模雲廠資本開支續增、DRAM/NAND 價格處歷史高位、新增先進產能形成有效供給仍需數年的三大事實。
目前，記憶體行業基本面強勁未變，但無差別重估期逐漸過去，投資人接下來要回答的不是「還漲不漲」，而是哪些記憶體產品仍缺、哪家公司能實現獲利、哪些標的已提前透支。
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