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聯電、世界先進...受惠晶圓代工「產能排擠」效應,2台廠受注目

商周財富網

發布於 6小時前 • 劉彥良分析師 

圖片來源:Adobe Firefly

自7奈米先進製程推出後,市場對於晶圓代工產業的目光,多半聚焦在台積電、三星和英特爾的軍備競賽。但一向乏人問津的成熟製程,近期卻因為「產能排擠」效應,重新吸引市場眼球。

2025年11月,台積電董事會核准出售約2,000萬美元~2,300萬美元的8吋機台給世界先進。由於世界先進晶圓生產技術多來自台積電,故兩者製程相容度非常高,因此客戶轉移時不需重新驗證,世界先進將直接受惠轉單。

此外台積電也在2026年第1季法說會上表示,6吋和8吋已逐步汰除,12吋成熟製程部分,包括22、28和40奈米,會請客戶推進到先進製程,或是逐步移轉給世界先進。

三星方面,產線調整的動作也很積極,計畫2026年下半年關閉月產能5萬片的8吋S7廠,該廠主要生產CMOS影像感測器與顯示器驅動IC,未來將轉為先進製程與先進封裝之用。

雖然中國廠商中芯國際、華虹均有擴產計畫,但其新增產能無法完全抵銷台積電與三星的減產份額。因此研調機構集邦科技預估,2026年8吋晶圓代工市場總產能將年減2.4%。

隨著一線大廠陸續關閉或淡出8吋產線,並將資本支出轉向12吋與先進製程,預估全球8吋晶圓代工產能在未來1年至2年將呈現罕見的負成長,供需結構開始發生質變。

原本由一線大廠承接的訂單,將被迫轉向具備穩定產能與製程經驗的成熟代工廠。同時國際客戶因美中貿易緊張升級,除非要銷往中國市場,否則在中國投片的可能性不大,因此台廠將成為晶圓代工產能排擠趨勢下的最大受惠者。

除了供給端的轉變外,需求端亦出現關鍵變化,主要來自AI伺服器帶動的電源管理架構升級。隨著資料中心運算密度與功耗持續攀升,電源管理IC(PMIC)與功率元件用量顯著增加,且規格朝向高耐壓、高可靠度發展,進一步推升8吋製程的需求。
在供需結構轉為吃緊的情況下,成熟製程市場的價格主導權正逐步回到賣方市場,相關業者未來有機會漲價以反映供需緊張與成本變化。接下來就針對二線晶圓代工的聯電和世界先進作進一步說明。

聯電(2303)

聯電為全球第4大晶圓代工廠,僅次於台積電、三星和中芯國際。2026年第4季22/28奈米營收占比上升至36%,其中22奈米營收季增31%創下歷史新高,產品組合持續優化,帶動單季毛利率重返3成之上。

與英特爾合作的12奈米製程目前進展順利,預計2026年交付PDK(製程設計套件)與相關IP給客戶、2027年開始貢獻營收,終端應用包括數位TV、WiFi、高速介面產品,將成為聯電未來成長的重要動能。

先進封裝方面,聯電已建立完整技術矩陣,涵蓋Wafer-to-Wafer bonding、TSV(矽穿孔)以及中介層(Interposer)等2.5D/3D方案。目前已有超過10家客戶參與合作,預計2026年新增超過20個Tape-out(投片)專案,營收貢獻將在 2027年迎來顯著成長。

矽光子部分,聯電與IMEC(Interuniversity Microelectronics Centre,校際微電子中心)深度合作,專注於光學收發器、光學輸入/輸出及光學交換矩陣等技術。相較於競爭對手多停留在8吋晶圓開發,聯電已領先佈局12吋PIC(積體光路)技術,可插拔產品預計2026年開始貢獻。目標2027年提供業界標準的PDK給客戶,並與合作夥伴探索TFLN(薄膜鈮酸鋰)等新材料整合。

世界先進(5347)

世界先進為全球第七大晶圓代工廠、台積電關係企業,專注於高壓製程、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝及UHV(Ultra High Voltage,超高壓)等特殊製程,主要產品包括電源管理IC、顯示驅動IC以及各類分離式元件。

與恩智浦半導體(NXP)合資在新加坡興建12吋廠VSMC,鎖定130奈米至40奈米的BCD製程,瞄準汽車電子與工業控制市場。目標2026年中具備送樣能力、2027年第一季達到量產準備。

此外世界先進在2026年元月也與台積電簽署高壓(650V)與低壓(80V)氮化鎵(GaN)製程技術授權,有助加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件,搶攻資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換商機。計畫2026年初啟動開發、2028年上半年量產。

結論》二線晶圓代工廠將受惠轉單效應

在一線大廠將資源著重在先進製程和先進封裝,以及晶片設計業者去中化的趨勢下,二線晶圓代工如聯電和世界先進,未來非常有機會受惠轉單效應。差別在於聯電多要靠自行爭取並拓展多元產品線,未來營運不確定性較大,但產品組合若成功優化,將帶來顯著的毛利率與獲利能力提升。至於世界先進則是有台積電的奧援,未來訂單成長較為明確,但相對地營運爆發性就會略遜一籌。

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小檔案_劉彥良分析師

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