春節後搶跑！三星將率先量產HBM4 本月第三周直供輝達
南韓三星電子將於春節假期後率先啟動全球首次 HBM4 大規模量產，並於 2 月第三周向輝達交付首批產品，此舉代表三星在 AI 記憶體領域上實現關鍵突破，試圖扭轉上一代產品 HBM3E 的市場劣勢，重塑高階記憶體競爭格局。
三星 HBM4 在性能上實現跨越式升級。透過創新採用 1c DRAM 製程與 4 奈米晶圓代工技術，資料處理速度達 11.7 Gbps，較 JEDEC 國際標準 (8 Gbps) 提升 37%，比上一代 HBM3E(9.6 Gbps)快 22%。單堆疊儲存頻寬達 3 TB/s，為前代產品的 2.4 倍；12 層堆疊結構提供 36GB 容量，未來可擴充至 48GB。
更關鍵的是，三星 HBM4 的低功耗設計可顯著降低資料中心冷卻成本，直擊 AI 算力能耗痛點。
三星此次量產緊密配合輝達新品節奏。三星已通過輝達品質認證，其 HBM4 將用於 3 月 GTC 2026 大會亮相的 Vera Rubin AI 加速器。為符合顧客需求，三星大幅增加樣品供應量，強化在輝達供應鏈中的核心地位。
產業分析指出，HBM4 作為 AI 晶片的「燃料艙」，其供應能力將直接影響輝達等巨頭的旗艦產品發布。
三星憑藉全球唯一涵蓋邏輯晶片、記憶體、晶圓代工、封裝的全鏈條能力，以「一站式解決方案」打造差異化優勢。目前，平澤園區第四廠已啟動新產線擴建，目標將今年 HBM 銷量提升兩倍以上。
產業鏈消息人士指出，三星以技術實力證明 HBM4 量產能力，在對抗 SK 海力士等對手時已占得先機。"
隨著 AI 算力需求爆發，HBM4 量產將加速高階儲存市場洗牌。三星的先發優勢不僅鞏固自身技術領導力，更透過綁定重量級客戶建構生態護城河。
分析師指出，三星此次量產時程落地，意味著三星可望在 2026 年 AI 晶片競賽中掌控關鍵零件命脈，為自家股價注入一劑強心針。
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