HBM非AI推論首選 南亞科攻客製化DRAM、泰山新廠明年產能開出
工研院今天舉行《半導體與AI算力永續競爭力論壇》，南亞科資深副總經理吳志祥表示，隨著AI發展逐漸雲端訓練轉向地端推論，傳統高頻寬記憶體（HBM）因能耗與架構限制，並非推論應用的最佳解答。南亞科正積極佈局客製化AI UWIO記憶體與3D IC堆疊技術，並規劃泰山新晶圓廠於明年開出新產能，精準搶攻地端AI與邊緣運算商機。
過去幾年最受關注的記憶體莫過於HBM（高頻寬記憶體），少了HBM，AI就無法進行訓練，不過南亞科資深副總吳志祥指出，儘管HBM在大參數模型的訓練階段扮演關鍵角色，但進入AI推論時代後，使用者在終端裝置產生的大量對話與KV Cache，使記憶體頻寬與功耗成為關鍵瓶頸。由於HBM引腳數（I/O pin）有限且功耗較高，在注重反應速度與省電的地端裝置如AI PC、手機及攜帶式設備上並非首選。
對此，南亞科發展的客製化UWIO DRAM，採用Wafer-on-Wafer（WoW）等3D IC堆疊技術，能直接將DRAM與CPU或ASIC邏輯晶片連結，不僅頻寬可提升5至10倍，單位位元傳輸能耗更僅有HBM的三分之一至十分之一，為地端推論提供極具競爭力的差異化解決方案。
因應推論應用普及，終端裝置的記憶體規格呈現翻倍式成長。以AI PC為例，單台記憶體搭載量已從過去的16GB提升至128GB，結合全球億台等級的出貨規模，將帶來爆發性的DRAM用量需求。為滿足AI浪潮帶來的龐大訂單，南亞科正全力推動產能擴充與技術微縮，主力16奈米（1B世代）產品線已推展至十多項，同時同步推進1C、1D、1E等三個新世代製程開發。
此外，南亞科於新北泰山興建的新晶圓廠，總投資額上看5,000億元，並規劃導入EUV極紫外光微影設備，預計明年資本支出將突破2,000億元，明年初新廠產能開出後，將能進一步拉近與國際一線大廠的距離。
在產能與技術擴張的同時，吳志祥強調，南亞科也積極將永續經營融入製程升級。隨著半導體製造與AI使用端的用電量持續激增，南亞科透過製程微縮有效降低產品功耗，如1C奈米產品相較1A奈米可降低34%功耗。
工廠端亦100%裝設Local scrubber尾氣處理設備並引進AMAT i-System智慧控制系統，使溫室氣體消減效率達94%，並連續多年透過ISO 50001能源管理系統實現年節電近8%至9%的績效。
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