ASML首遭中國技術挑戰！繞道LDP技術點亮國產EUV原型機！外媒：進展超許多西方專家預期
印度國際新聞頻道《WION》週二 (14 日) 引述消息人士獨家報導指出，中國已在深圳一處高度機密的設施內，成功搭建完全國產化的極紫外光 (EUV) 光刻機原型機，這是自 1990 年代艾司摩爾投入 EUV 研發以來，首次有外部力量獨立實現 EUV 光源產生與整機系統集成，全球半導體產業長期由西方技術壟斷的局面遭遇永久性改寫的臨界點。
報導指出，這台原型機由華為統籌整合中國國內研究機構、供應鏈及數千名研究人員攻關，深圳設施採取嚴格的物理隔離與分組保密機制。
最關鍵的在於，中國團隊未沿襲艾司摩爾沿用數十年雷射技術產生等離子體 (LPP) 路線，而是走出了差異化的激光誘導放電等離子體 (LDP) 技術路線。
根據部落格 Of Zen and Computing 分析，中國已在 EUV 光源上完成原理性驗證，成功瞬間將錫滴加熱至約攝氏 22 萬度產生 13.5 奈米波長極紫外光，但目前原型機「與艾司摩爾商業級 EUV 相比仍然粗糙」，尚未產出任何一片工作晶片，距離具備量產意義的吞吐量、250 瓦以上穩定輸出及亞奈米級對準精度，仍有數年工程鴻溝要跨越。
EUV 光源被譽為光刻機技術鏈最難的「聖杯」，極紫外光無法穿透傳統透鏡，須依賴原子級精度的多層鉬 / 矽布拉格反射鏡 (目前僅德國蔡司能造商用級)，反射率需堆疊至約 70%。
雖然美國《外交家》雜誌警告不應過度炒作原型機進展，但中國在近乎隔絕外部技術下，從光源、光學系統到真空工件台一寸寸鑿開封鎖線，已讓全球半導體權力結構深度偏移。
目前，艾司摩爾壟斷全球 EUV 市場，整體光刻機市佔約 83%，去年出貨數十台 EUV、單台均價約 2 億美元，支撐台積電、三星、英特爾 3 奈米以下量產。
分析指出，若中國未來具備國產 EUV 供應能力，就算初期僅支撐 AI 推理、車載等「夠用」製程，全球最渴求先進算力的市場將不再完全受制於艾司摩爾交貨排程與地緣政治綠燈。
此外，中等強國與難以穩定取得艾司摩爾設備的發展中國家，將獲得第二選項，全球晶圓產能地理分布迎來再平衡，伴隨而來的恐將是一輪新產能過剩與價格戰，對中國技術封鎖有效性將因替代路徑出現被打上問號，限制清單被迫向上游延伸，推高全球半導體生態交易成本。
坊間亦流傳原型機吸收部分前艾司摩爾工程師知識輸入，高度分隔研究模式類似冷戰核項目人才擴散。在 EUV 這個僅極少數人掌握的系統級專門技術狹窄領域，關鍵個人流動往往比制裁更能改變技術均勢。
這台原型機尚無一片晶片產出，它能否跨越「死亡之谷」進入商用工程階段，將決定此次破壁僅是短暫漣漪或持久巨浪。一旦 EUV 不再是少數巨頭的小圈子遊戲，從晶圓代工、EDA、材料到 AI 算力權力格局將徹底重洗。
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