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慧榮總座:記憶體係結構性轉變;缺口明年更甚

MoneyDJ理財網

發布於 04月13日04:10

MoneyDJ新聞 2026-04-13 12:10:59 周佩宇 發佈

NAND快閃記憶體控制晶片廠慧榮(SIMO)今(13)日於台北南港舉行台北總部新建工程動土典禮,總經理苟嘉章(附圖)受訪時針對產業近況表示,在AI推論(Inference)需求全面爆發帶動下,全球記憶體市場正出現結構性轉變,不僅NAND與DRAM供給長期吃緊,缺貨情況將一路延續,短期難以緩解,明年會比今年更嚴重。

苟嘉章指出,今年來AI產業發展進入關鍵轉折,從過去以訓練(Training)為主,轉向推論應用全面落地,帶動資料中心、企業端與各類裝置對儲存需求同步爆發,形成前所未見的需求規模。以輝達(NVIDIA)在GTC釋出的觀察來看,AI相關需求規模已達兆美元等級,且不僅來自美系雲端服務供應商(CSP),還包括主權AI、企業與工業應用,整體市場呈現多方同時成長態勢。

在需求遠大於供給之下,NAND價格出現劇烈上揚。苟嘉章表示,自去年8月至今年3月,NAND價格已上漲約4倍至10倍,且容量越低漲幅越高,帶動整體產業營收與獲利同步大幅成長。他認為,當前市場已不是短期循環,而是結構性轉變,產業資源正在重分配,若期待回到過去價格與供需狀態幾乎不可能。

在供給端,苟嘉章分析,NAND與DRAM原廠近年受到價格低迷影響,擴產態度轉趨保守,加上資本密集度極高,使產能無法快速回應需求。以DRAM為例,新增產能成本動輒數百億美元,且HBM等高階產品優先分配資源,進一步壓縮其他應用產能;NAND方面,今年產能增幅僅約15%至25%,遠低於AI需求成長速度。在此情況下,供需缺口持續擴大,今年缺口還沒補,明年會更大。

至於市場何時緩解,苟嘉章認為關鍵在DRAM擴產進度,包括三星、SK海力士新廠,以及美光在美國的DRAM新廠,預計要到明年下半年至後年才會逐步量產。他指出,屆時產能壓力雖可稍微舒緩,但仍難完全解決,市場仍將維持緊平衡狀態。

在應用面上,AI需求也產生明顯排擠效應。苟嘉章坦言,由於汽車用記憶體需求量相對AI與手機市場較小,原廠資源優先供應高毛利應用,使車用市場供應壓力升高。另外,苟嘉章指出,目前消費性電子零售市場表現疲弱,甚至接近停滯,但AI應用已開始帶動新一波需求,包括智慧手機、穿戴裝置、智慧眼鏡與智慧門鎖等新型態產品快速成長。他認為,未來市場成長動能將不再集中於傳統手機與PC,而是由多元AI裝置驅動。

面對市場對AI泡沫的疑慮,苟嘉章表示,從目前觀察來看,AI推論需求涵蓋企業、政府與各類應用場景,需求範圍與深度遠超過過去科技浪潮,泡沫機率非常低。

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資料來源-MoneyDJ理財網

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