中國長鑫存儲 DDR5 良率達 80%，還力拚 2025 年少量生產 HBM2
外媒報導，中國第三方記憶體模組製造商開始銷售中國長鑫存儲（CXMT）生產的 DDR5 晶片的 DDR5 DRAM 記憶體模組。長鑫存儲是中國最大唯一製造 DDR4 / LPDDR4 廠商，現在終於切入 DDR5 / LPDDR5 生產，國際大廠關注是否傾銷海外，動搖市場生態。
外媒 Techpowerup 報導，花旗集團分析，長鑫存儲 DDR5 良率獲重大進展，達約 80%，與最初量產 50% 相比大幅提升，主要建立在長鑫存儲 DDR4 經驗上，DDR4 晶片良率達 90% 左右。
長鑫存儲在合肥營運兩座晶圓廠，Fab 1 專門生產 DDR4 晶片，採 19 奈米，月產能 10 萬片晶圓。Fab 2 用 17 奈米製程，生產 DDR5 晶片，月產能 50,000 片晶圓，到今年底良率會拉升到 90%。
雖長鑫存儲技術和良率提高不少，但與領導者相較還是有差距。三星和 SK 海力士等已導入 12 奈米生產 DDR5 晶片，技術差距導致長鑫存儲產品功耗更高，尺寸也沒那麼緊湊。長鑫存儲客戶主要是國內，搭載於 PC 和智慧手機。
長鑫存儲會繼續擴展 DDR5 性能和產能，同時繼續推動 HBM 開發。長鑫存儲已在 HBM2 取得進展，正在客戶送樣階段，2025 年中期開始少量生產 HBM2 晶片。
(首圖來源：長鑫存儲)