台積電首次發表A14先進製程技術 預計2027 年量產 9.5 倍光罩尺寸的 CoWoS
台積電25日於美國加州聖塔克拉拉市舉行的「北美技術論壇」，這是每一年度旗艦客戶活動，共有超過2,500 人參加，會中首次發布A14先進製程技術，董事長魏哲家說，「A14是連接實體和數位世界的全方位解決方案組合的一部分，為我們的客戶釋放創新，以推進AI 未來。」
今年下半年，就可以看到台積電最新的2奈米製程技術量產，首批客戶是超微AMD，然而「北美技術論壇」發表的A14（等同於1.4奈米）技術，和2奈米相同功耗下，提升達 15％的速度；或在和2奈米相同速度下，降低達 30％的功率，同時邏輯密度增加超過 20％。
台積電首次曝光A14製程，較2奈米速度更快
台積電官方聲明指出，結合在奈米片電晶體方面的設計技術協同優化經驗，台積公司更將其 TSMC NanoFlex™標準單元架構發展為 NanoFlex™ Pro，以實現更好的效能、能源效率和設計靈活性。
除了A14先進製程首次亮相，台積電還發布先進封裝CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技術，計劃在 2027 年量產 9.5 倍光罩尺寸的 CoWoS，從而能夠以台積電先進邏輯技術將 12 個或更多的 HBM 堆疊整合到一個封裝中。
繼 2024 年發表革命性系統級晶圓（TSMC-SoW™）技術，台積公司再次推出以
CoWoS 技術為基礎的 SoW-X，以打造一個擁有當前 CoWoS 解決方案 40 倍運算能力的晶圓尺寸系統，SoW-X 計劃於 2027 年量產。
2027年計畫量產CoWos，比目前高40倍算力
台積電為完備其邏輯技術的極致運算能力和效率，提供了許多解決方案，其中包含運用了緊湊型通用光子引擎（COUPE™）技術的矽光子整合、用於 HBM4 的 N12 和 N3 邏輯基礎裸晶，以及用於 AI 的新型整合型電壓調節器（Integrated Voltage Regulator，IVR），與電路板上的獨立電源管理晶片相比，其具備 5 倍的垂直功率密度傳輸。
同一天，台積電也發表了在智慧型手機、汽車、物聯網的最新技術，以智慧型手機為例，台積電用最新一代的射頻技術 N4C RF 支援邊緣設備能以高速、低延遲無線連接來移動大量數據的 AI 需求。
台積電指出，與 N6RF+相比，N4C RF 提供 30％的功率和面積縮減，使其成為將更多數位內容整合到射頻系統單晶片的設計中的理想選擇，滿足新興標準例如 WiFi8和具豐富 AI 功能的真無線立體聲的需求。N4C RF 計劃在 2026 年第一季進入試產。
汽車用的N3A製程技術，已進入最後階段驗證
物聯網應用部分，隨著台積電先前公佈的超低功耗 N6e 製程進入生產，其將繼續推動 N4e 拓展未來邊緣 AI 的能源效率極限。
此外，在自駕車也有重大技術發布，台積電為了符合客戶汽車零件每百萬分之缺陷率（DPPM）的要求，將以最先進的 N3A（台積電為自駕車專推的3奈米製程） 製程滿足客戶需求，目前 N3A 正處於 AEC-Q100 第一級驗證的最後階段，並不斷改良。N3A 正進入汽車應用的生產階段，為未來軟體定義汽車的全方位技術組合增添生力軍。